微波单片集成电路

作品数：227被引量：445H指数：9
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高精确度大比特位延时器芯片研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期340-345,359,共7页陈月盈 刘帅 杨柳 赵子润 
基于GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D pHEMT)工艺,研制了一款0.5~6 GHz三位可调1400 ps数控延时器芯片。芯片尺寸为3.60 mm×4.00 mm×0.07 mm,集成了3位数控延时器和3 bit并口驱动电路。在0.5~6 GHz范围内,该数控延时...
关键词：宽带 大延时量 砷化镓 高精确度 微波单片集成电路(MMIC) 
有源相控阵雷达超宽带高精度延时组件的设计
《电子制作》2024年第24期6-10,共5页赵建博 赵宇 张帅 
本文介绍了一种超宽带(2~12GHz)小而轻的四通道延时组件的设计和实现。该组件集成5位延时MMIC芯片以及收发增益补偿。组件尺寸为88×25×10mm^(3),重量55g。根据测试结果,延时组件接收增益为-2.5dB±2.5dB,发射功率为12dBm±2dBm,延时...
关键词：毫米波 延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路(MMIC) 
宽带毫米波系列延时器芯片设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期1277-1282,1311,共7页陈月盈 刘会东 杨柳 赵子润 
研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理及其在相控阵天线中的作用,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了2款宽带毫米波TTD芯片,改善宽带雷达的大扫描角度带来的波束空间指向色散问题。通过微波在片测试系统对两款系统所需...
关键词：毫米波 数控延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路 
一种4 GHz瞬时带宽的6~18 GHz超宽带T/R组件设计被引量：1
《电子科技》2024年第8期97-102,共6页王洁 武华锋 李宁 廖原 周生华 
陕西自然科学基础研究计划(404219697078)。
针对现代电子对抗设备的大瞬时带宽要求,文中设计了一种瞬时带宽4 GHz的6~18 GHz超宽带T/R组件。采用砖块式多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM)和超宽带信号传输等技术实现了T/R组件高集成、小型化和模块化的要求。对T/R组件组成构架、...
关键词：T/R组件 超宽带 6~18 GHz 延时 多芯片组件 微波单片集成电路 
7~13 GHz宽带高效率驱动放大器设计
《现代信息科技》2024年第5期73-76,80,共5页豆兴昆 李彬 谭小媛 蒋乐 叶坤 
基于0.25μm GaAs PHEMT工艺设计了一款7~13 GHz微波单片高效率驱动放大器。芯片采用两级级联拓扑结构,在输入级引入共源并联负反馈结构拓宽工作带宽,同时为兼顾输出功率和效率,在输出级引入等效RC模型拟合输出管芯的最优阻抗。基于等...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 驱动放大器 功率附加效率 并联负反馈 阻抗匹配 
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
《微波学报》2024年第1期87-92,共6页骆银松 李智鹏 吕俊材 曾荣 吕立明 
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率...
关键词：可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 
2~6 GHz紧凑型、高效率GaN MMIC功率放大器被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第8期1054-1058,1064,共6页邬佳晟 蔡道民 
国家核心器件资助项目(2017ZX03001024)。
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,根据有源器件的G_(max)和输出功率密度,选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗;采用三级放大器,其栅宽比为1:4:16,实现高功率增益和高效率;利用等Q匹配技术,把偏置电路融入匹配...
关键词：紧凑 功率附加效率 宽带 增益 微波单片集成电路 
基于GaAs工艺的Ku波段高增益低噪声放大器
《大众科技》2023年第7期1-5,共5页贾瑞林 王云秀 段寅龙 樊琴 
四川省教育厅重点项目(16ZA0172)。
文章采用0.13μm GaAs PHEMT工艺技术设计了一款MMIC低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器工作频段为13~17 GHz,采用了双电源供电的两级放大结构,偏置电路采用电感加并联电容的滤波结构来隔离直流信号与射频信号,在第二级放大器的栅极和漏...
关键词：GaAs PHEMT 微波单片集成电路 低噪声放大器 
GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述被引量：4
《固体电子学研究与进展》2023年第2期121-135,共15页彭龙新 邹文静 孔令峥 张占龙 
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路 
带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计
《通信电源技术》2023年第5期23-26,共4页杨柳 
设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 
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