用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片  

SOI CMOS RFICs for Radar T/R Module

作　　者：陈亮[1] 陈新宇[1] 张有涛[1,2] 杨磊[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,国博电子有限公司,南京210016 [2]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2015年第2期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。

关 键 词：相控阵雷达 射频芯片 T/R组件 CMOS工艺 南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路 中频放大器 

分 类 号：TN958.92[电子电信—信号与信息处理]