基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器  

A 12 bit 1GS/s Multiple Nyquist DAC Using GaAs HBT Technology

作　　者：李晓鹏[1,2,3] 王志功[1] 张有涛[2,3,4] 张敏[2,3] 陈新宇[2,3] 杨磊[2,3] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096 [2]南京国博电子有限公司,南京210016 [3]南京电子器件研究所,南京210016 [4]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第3期201-205,215,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比,多奈奎斯特域DAC在第二奈奎斯特频点附近的输出功率增大37dB,SFDR提高25dB。A 12 bit 1 GS/s multiple Nyquist digital to analog converter based on a 1/~m GaAs HBT process is presented. A return-to-zero（RZ） technology is used to expand the effective band- width of the DAC output to the third Nyquist band. The proposed DAC has a better output pow- er flatness and spurious free dynamic range（SFDR）. Compared with traditional DAC, the output power of the multiple Nyquist DAC is increased by 37 dB and the SFDR is enhanced by 25 dB near the second Nyquist frequency.

关 键 词：数模转换器 多奈奎斯特 归零 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN431.2