朱彦青

作品数：4被引量：14H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：高线性高增益低噪声放大器噪声系数INGAP/GAAS_HBT更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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基于SiGe BiCMOS工艺的802.11ac系统射频前端芯片设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第6期408-413,共6页陈亮 朱彦青 陈悦鹏 
基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15～5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护电路。芯...
关键词：射频前端芯片 802.11ac标准 误差向量幅度 
应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2015年第1期46-51,共6页何旭 郑远 朱彦青 陈新宇 杨磊 
设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件...
关键词：无线局域网 线性功率放大器 异质结双极型晶体管 误差矢量幅度 
0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器被引量：10
《固体电子学研究与进展》2014年第3期211-215,共5页吴健 郑远 艾宣 顾晓瑀 朱彦青 陈新宇 杨磊 钱峰 
设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低...
关键词：低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益 
基于LTCC技术的手机天线开关滤波器
《固体电子学研究与进展》2013年第1期52-56,共5页朱彦青 许正荣 戴雷 陈新宇 
采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75...
关键词：低温共烧陶瓷 低通滤波器 谐波抑制度 通带插损 
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