锁存器

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一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计
《中国集成电路》2025年第3期50-54,共5页施峰 张瑾 
随着集成电路特征尺寸不断缩减,软错误逐渐成为影响集成电路可靠性的主要威胁因素。针对这种情况,本文提出了一种基于节点冗余技术的低功耗容忍DNU锁存器设计(DNUTL)。该锁存器使用由四对反相器构成的存储单元保证数据稳定锁存,另外采...
关键词：软错误 节点冗余 单粒子翻转 多节点翻转 
可编程光子锁存器提升数据处理速度
《电子产品可靠性与环境试验》2025年第1期101-101,共1页张佳欣 
据报道,美国诺基亚贝尔实验室开发出了一种新型光学存储器--可编程光子锁存器。它速度快且易于扩展,能在光学处理系统中实现临时数据存储,为采用硅光子技术的易失性存储器提供了一种新的解决方案。这种光子锁存器是仿照置位-复位锁存器...
关键词：锁存器 数据处理速度 数据存储 存储设备 光学处理 贝尔实验室 易于扩展 置位 
应用于低功耗模/数转换器的低电源电压时间域比较器
《集成电路与嵌入式系统》2024年第8期7-13,共7页蓝宏健 杨建行 王霖伟 李振 周荣 刘术彬 
中央高校基本科研业务费专项基金资助(XJSJ230460)。
针对传统逐次逼近型模/数转换器(Successive Approximation Analog to Digital Converter,SAR ADC)中的电压域比较器存在延迟大、功耗高等问题,本文设计了一款应用于SAR ADC的低功耗时间域比较器。该比较器通过引入高增益的时间放大器(T...
关键词：SAR ADC 时间域比较器 时间放大器 SR锁存器 鉴相器 
基于数组法的IAP15F261S2型单片机外设控制方法研究
《机电信息》2024年第13期6-9,共4页黄庆武 胡婷 
单片机I/O口控制,一般采用地址分时复用技术,LED灯、蜂鸣器、继电器、数码管等是基于单片机外设控制的电子系统的常见外设,采用数组法,根据I/O口的特征,对应建立一维数组或二维数组,分别对控制外设的地址和参数进行赋值,较过去常用的逐...
关键词：数组法 锁存器 赋值 LED 继电器 数码管 
32 nm工艺下基于输入分离C单元的三节点翻转容忍锁存器设计
《现代信息科技》2024年第9期43-46,52,共5页夏宇 
随着集成电路特征尺寸的不断缩减,存储电路中单粒子效应造成的多节点翻转的概率越来越大,严重影响了电路的可靠性。因此,为了增加存储电路的抗辐射加固能力和可靠性,提出一种三节点翻转加固锁存器TNUTL。该锁存器使用双模冗余和输入分离...
关键词：锁存器 C单元 软错误 三节点翻转 
一种低开销的三节点翻转容忍锁存器设计
《河南科技》2024年第8期9-13,共5页秦学伟 
【目的】随着半导体技术的发展,集成电路特征尺寸不断缩小,导致其对软错误更加敏感,因此需要对集成电路存储单元进行加固。【方法】使用Hspice进行实验与仿真,基于PTM32nm CMOS工艺,提出了一种低开销的三节点翻转容忍锁存器结构。【结...
关键词：锁存器 软错误 三节点翻转 
基于DI反馈互锁的低开销抗四节点翻转锁存器研究
《华北科技学院学报》2024年第2期54-62,84,共10页王俊 徐辉 
国家自然科学基金面上项目(61404001)。
随着CMOS集成电路工作频率和工艺的提升,深纳米级电路在高辐射空间环境中也越来越容易受到辐射粒子撞击引起的软错误影响。本文提出了一种低成本的quadruple-node-upsets(QNUs)容忍锁存器设计LCQNUTL,由三个独立的存储单元SC和拦截模块C...
关键词：辐射 软错误 锁存器设计 四节点翻转 
基于忆阻器混合CMOS的三模冗余锁存器
《中国集成电路》2024年第1期51-56,共6页段鑫沛 肖平旦 殷亚楠 周昕杰 刘兴强 
抗辐射应用技术创新中心创新基金(KFZC2021010202)。
忆阻器的出现为后摩尔时代提供了一个全新的方案以顺应更大的集成密度。为了研究其在数字电路中的应用,发挥潜在优势,本文首先介绍了忆阻器模型及比例逻辑构成的基本逻辑电路,随后提出了基于忆阻器混合CMOS的三模冗余D锁存器。所提出的...
关键词：忆阻器 CMOS 三模冗余 锁存器 
一种基于C单元的三节点翻转自恢复锁存器
《计算机工程与科学》2024年第1期37-45,共9页徐辉 朱烁 孙皓洁 马瑞君 梁华国 黄正峰 
国家自然科学基金(61834006,61874156,61404001);国家重大科研仪器研制项目(62027815)。
随着集成电路中工艺尺寸的不断缩减,锁存器也越来越容易受到粒子辐射引起的三节点翻转的影响。针对该问题,基于C单元的结构,提出一种低功耗、低延时和高鲁棒性的三节点翻转并自恢复的MKEEP锁存器。通过仿真实验和PVT的波动实验表明,相...
关键词：粒子辐射 三节点翻转 锁存器 自恢复 
低面积与低延迟开销的三节点翻转容忍锁存器设计
《电子与信息学报》2023年第9期3272-3283,共12页闫爱斌 申震 崔杰 黄正峰 
国家自然科学基金(62274052,61974001)。
随着纳米级CMOS集成电路的不断发展,锁存器极易受恶劣的辐射环境影响,由此引发的多节点翻转问题越来越严重。该文提出一种基于双联互锁存储单元(DICE)和2级C单元的3节点翻转(TNU)容忍锁存器,该锁存器包括5个传输门、2个DICE和3个C单元...
关键词：锁存器 3节点翻转 抗辐射加固技术 C单元 双联互锁存储单元 
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