云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 电流崩塌效应

电流崩塌效应: 作品数：16被引量：18H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张宝顺蔡勇于国浩李诚瞻刘新宇更多>>; 相关机构：中国科学院电子科技大学西安电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《微电子学》《电力电子技术》《物理学报》《中国无线电电子学文摘》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>

一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型: 《半导体技术》2022年第12期972-978,1026,共8页李静强赵哲言王生国付兴中魏碧华; GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程...; 关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型陷阱效应电流崩塌效应

GaN器件动态导通电阻精确测试与影响因素分析被引量：5: 《电工技术学报》2022年第18期4664-4675,共12页赵方玮李艳魏超张楠郑妍璇; 国家自然科学基金面上资助项目(51877007)。; GaN器件较传统Si器件具有耐高压、耐高温、导通电阻小和开关损耗小等优势,但其特有的动态导通电阻现象是限制其大规模应用的主要问题。该文基于动态导通电阻影响机理分析,首先提出一种GaN器件动态导通电阻综合测试平台及测试方法;然后...; 关键词：GAN器件电流崩塌效应动态导通电阻精确测试优化应用方法

新结构GaN HEMT器件机理及电流崩塌效应研究: 《电力电子技术》2020年第10期53-56,共4页刘静段雯阁王琳倩张艳; 陕西省重点研发计划(2019GY-060);西安市科技计划(GXYD14.20)。; 提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研究。靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩塌的关键因素,新结构中耗尽区扩展,承担了一部分原来集中在漏...; 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓电流崩塌效应

基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应被引量：2: 《物理学报》2019年第24期347-353,共7页刘静王琳倩黄忠孝; 陕西省重点研发计划(批准号:2019GY-060)资助的课题~~; 基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低...; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管电流崩塌效应缓冲层陷阱

AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应研究: 《固体电子学研究与进展》2009年第1期27-30,共4页张志国冯震杨克武蔡树军郝跃; 电流崩塌效应是限制AlGaN/GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素,文中从器件研制的角度研究了AlGaN/GaN HFET的电流崩塌效应。研究结果表明,采用传统的化合物半导体器件细栅工艺制作的器件,栅边缘易发生钻蚀效应,SiN层出现钻蚀区域,器...; 关键词：氮化镓场效应晶体管电流崩塌效应氮化硅钝化刻蚀场板

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3: 《物理学报》2008年第11期7238-7243,共6页席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 电流崩塌坑状缺陷位错缺陷

掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究: 《电子器件》2007年第5期1532-1534,1538,共4页李诚瞻刘键刘新宇刘果果庞磊陈晓娟刘丹姚小江和致经; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB311903);中国科学院重点创新资助项目(KGCX2-SW-107); 对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/Ga...; 关键词：GAN HEMT 电流崩塌效应掺杂

栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究被引量：1: 《电子器件》2007年第1期26-28,共3页龙飞杜江锋罗谦靳翀杨谟华; 国家自然科学基金资助项目(60072004); 源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于...; 关键词：电流崩塌效应 ALGAN/GAN HEMT 栅脉冲表面态

半导体技术: 《中国无线电电子学文摘》2006年第6期47-67,共21页; 关键词：半导体技术半导体学报电子技术量子阱 AlGaN 位错腐蚀坑迁移率模型上海技术物理研究所 MOCVD 空穴缓冲层低温晶片键合干法刻蚀测量结果电流崩塌效应量子点激光器微电子学 SOI TN 应变层超晶格

AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1055-1058,共4页李诚瞻刘键刘新宇薛丽君陈晓娟和致经; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~; 比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/Ga...; 关键词：AlN插入层 HEMTS 电流崩塌效应热电子

电流崩塌效应