冯震

作品数：34被引量：66H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：X波段输出功率SIC_MESFETHFETALGAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《电子显微学报》《高技术通讯》更多>>
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SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
《半导体技术》2009年第6期549-552,共4页商庆杰 潘宏菽 陈昊 霍玉柱 杨霏 默江辉 冯震 
国家重点实验室基金项目(9140C0607010704)
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚...
关键词：碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 牺牲氧化 干法刻蚀 等平面工艺 
介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响
《半导体技术》2009年第5期449-451,481,共4页周瑞 冯震 李亚丽 王勇 张雄文 
GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,包括介质膜应力、折射率和表面预处理与器件饱和电流、电流...
关键词：介质膜 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面处理 折射率 电流崩塌 
高性能AlGaN/GaN HEMT的肖特基特性
《微纳电子技术》2009年第2期75-78,共4页田秀伟 冯震 王勇 宋建博 张志国 
研究了Al GaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化。首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF)∶V(H2O)=1∶5溶液清洗刻蚀后的表...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 肖特基接触 理想因子 泄漏电流 表面处理 表面钝化 
AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应研究
《固体电子学研究与进展》2009年第1期27-30,共4页张志国 冯震 杨克武 蔡树军 郝跃 
电流崩塌效应是限制AlGaN/GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素,文中从器件研制的角度研究了AlGaN/GaN HFET的电流崩塌效应。研究结果表明,采用传统的化合物半导体器件细栅工艺制作的器件,栅边缘易发生钻蚀效应,SiN层出现钻蚀区域,器...
关键词：氮化镓 场效应晶体管 电流崩塌效应 氮化硅钝化 刻蚀 场板 
Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析被引量：6
《微纳电子技术》2008年第12期703-705,711,共4页尹甲运 刘波 张森 冯志宏 冯震 蔡树军 
对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO...
关键词：氮化镓 AlN插入层 喇曼散射 光荧光谱 应力 SI衬底 
SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
《半导体技术》2008年第12期1112-1114,共3页张志国 冯震 武继宾 王勇 蔡树军 杨克武 
国家重点实验室基金项目(9140C0605010702)
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时...
关键词：GAN 微波单片集成电路 大信号模型 输出功率 
MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第11期639-642,共4页刘波 袁凤坡 尹甲运 刘英斌 冯震 冯志宏 
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面...
关键词：ALGAN 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 原子力显微镜 透射光谱 
X波段GaN HEMT内匹配器件被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1783-1785,共3页王勇 李静强 张志国 冯震 宋建博 冯志红 蔡树军 杨克武 
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A量级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功...
关键词：GAN HEMT 内匹配 输出功率 功率增益 功率附加效率 
等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
《微纳电子技术》2008年第8期440-443,483,共5页杨霏 陈昊 潘宏菽 默江辉 商庆杰 李亮 闫锐 冯震 杨克武 蔡树军 姚素英 
国防科技重点实验室基金(9140C0607010704;0904C0607010705)
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功...
关键词：碳化硅(SIC) 金属消特基势垒场效应晶体管 高增益 功率附加效率 大功率 等平面化 侧壁钝化 
X波段GaN HEMT的研制
《半导体技术》2008年第8期677-679,共3页王勇 冯震 宋建博 李静强 冯志宏 杨克武 
国家973基金资助项目(51327030201)
采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50V/1mA,栅源击穿电...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 肖特基势垒 击穿电压 输出功率 
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