光荧光谱

作品数：27被引量：38H指数：3
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Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响被引量：1
《半导体技术》2011年第9期668-671,共4页尹甲运 刘波 王晶晶 李佳 敦少博 冯志红 蔡树军 
国家自然科学基金重大项目(60890192;60876009)
通过改变高温AlN形核层生长时提前通入TMAl的时间,分别在Si(111)衬底上生长了4个1μm厚的GaN样品,并对每个样品的GaN外延材料进行了分析研究。通过显微镜观察发现,Al的沉积时间为12 s时,GaN材料表面光亮,基本没有裂纹。另外通过喇曼谱...
关键词：GAN Al沉积时间 喇曼 光荧光谱 硅衬底 
GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析
《天津科技》2011年第6期17-19,共3页王建利 孙强 李静 马农农 薄春霞 
为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中"白斑"、"暗斑"的质量问题,从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样,分别进行了光荧光谱(PL)、二次离子质谱(SIMS)等测试。通过对这些测试结果进行综合分析,最终确定了造成产品出现"斑...
关键词：掺硅砷化镓单面抛光片 光荧光谱(PL) 二次离子质谱(SIMS) 
多量子阱红外探测材料的光致荧光谱
《功能材料与器件学报》2009年第2期185-188,共4页马楠 邓军 史衍丽 沈光地 
国家973计划(No.2006CB604902);国家自然科学基金(No.60506012);国家863计划(No.2006AA03A121)
在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速...
关键词：红外 QWIP 暗电流 光荧光谱 
Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析被引量：6
《微纳电子技术》2008年第12期703-705,711,共4页尹甲运 刘波 张森 冯志宏 冯震 蔡树军 
对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO...
关键词：氮化镓 AlN插入层 喇曼散射 光荧光谱 应力 SI衬底 
In_(0.5)Ga_(0.5)As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质被引量：3
《红外与激光工程》2007年第5期705-707,714,共4页杨晓杰 马文全 陈良惠 
中国航天科工集团三院科技创新基金资助项目(HT3Y8358200504)
提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点。实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大...
关键词：量子点 应变耦合 光荧光谱 
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性被引量：2
《光学精密工程》2007年第5期678-683,共6页刘林生 刘肃 王文新 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王佳 黄庆安 陈弘 周均铭 
中国科学院知识创新工程资助项目;国家自然科学基金资助项目(No.10504030)
GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结...
关键词：光荧光谱 砷化镓 量子阱 分子束外延 
C掺杂GaAs外延层光学特性分析
《量子电子学报》2006年第2期222-224,共3页邢艳辉 李建军 邓军 韩军 盖红星 沈光地 
国防科技预研基金(51456020203QT0101);国家自然科学基金(60077004);国家973(G20000683-02)资助项目
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。
关键词：光电子学 GaAs掺杂 光荧光谱 X射线衍射 
InGaP/GaAs外延材料合金有序度的表征被引量：1
《材料导报（网络版）》2006年第1期20-22,共3页吴静 尚勋忠 
对InGaP/GaAs外延材料合金有序度表征方法进行了综述，指出从结构X-Ray）光学性能摘要（透射电子显微镜，、（光、电学性能三方面度量InGaP/GaAs材料的有序度。
关键词：INGAP/GAAS 有序度 X-RAY 光荧光谱 喇曼光谱 
GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3
《光电子技术与信息》2005年第4期23-25,共3页刘文莉 李林 钟景昌 王晓华 刘国军 
高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3603)
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)...
关键词：量子阱 光荧光(PL)谱 Ⅴ/Ⅲ束流比 
Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究
《现代仪器》2003年第4期35-36,共2页李静 任殿胜 李光平 严如岳 汝琼娜 董颜辉 
本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱 和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性。结果表明,GaAs表面经过硫钝化处理后,可 大大降低复合速度改善发光效率。
关键词：砷化镓 表面硫钝化 发光效率 光荧光谱 快速扫描光荧光谱仪 化合物半导体 
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