刘文莉

作品数：14被引量：42H指数：3
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供职机构：中国兵器科学研究院更多>>
发文主题：垂直腔面发射激光器晶体生长YB半导体激光器钨酸更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光子学报》《中国激光》《发光学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金中国人民解放军总装备部预研基金国家教育部博士点基金更多>>
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Tm:Yb:KY(WO_4)_2晶体蓝光上转换被引量：9
《中国激光》2007年第5期711-714,共4页毛露路 林海 张莹 王成伟 刘文莉 朱忠丽 刘景和 
吉林省科技发展计划项目(2005506)资助课题
利用顶部籽晶提拉(TSSG)法生长了Yb3+,Tm3+共掺KY(WO4)2晶体,在室温下测量了290～1200nm内晶体的吸收光谱。根据上转换模型研究了晶体中Yb3+向Tm3+进行能量传递的机制并对晶体中跃迁能级进行了指认,建立了简单的速率方程。计算得出Yb3+...
关键词：材料 蓝光上转换 钨酸钇钾 能量传递 
垂直腔面发射激光器中的新结构研究被引量：2
《兵工学报》2007年第2期167-169,共3页郝永芹 刘文莉 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 
通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
关键词：光学 半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器 
Lateral Oxidation in Vertical Cavity Surface Emitting Lasers
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1351-1354,共4页刘文莉 郝永芹 王玉霞 姜晓光 冯源 李海军 钟景昌 
Lateral oxidation in vertical cavity surface emitting lasers （VCSELs） is described,and its characteristics are investigated.A linear growth law is found for stripe mesas. However, oxide growth （above 435℃ ） follo...
关键词：lateral oxidation quantum well vertical cavity surface emitting laser 
新型垂直腔面发射半导体激光器阵列被引量：4
《发光学报》2006年第4期519-525,共7页刘文莉 钟景昌 晏长岭 
教育部博士点基金资助项目
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵...
关键词：垂直腔面发射激光器 激光器阵列器件 质子注入 
垂直腔面发射激光器制作新工艺被引量：10
《中国激光》2006年第4期443-446,共4页郝永芹 刘文莉 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 
国家自然科学基金(60306004)资助项目
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率...
关键词：激光技术 垂直腔面发射激光器 开环分布孔 氧化物限制技术 量子阱 半导体激光器 
TSSG法生长KYb(WO_4)_2晶体及其振动光谱研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2006年第1期15-17,27,共4页刘文莉 张礼杰 王宇明 李建立 雷鸣 曾繁明 刘景和 
吉林省科技发展计划项目(20010565)
采用TSSG法生长出尺寸为30mm×15mm×10mm的KYb（WO4）2晶体，XRD分析表明为低温相的KY-bW晶体，计算其晶格常数为a=10．61A°，b=10．295A°，c=7．495，β=130．65°。测得样品的红外和拉曼光谱，结果表明KYbW晶体有较强的拉曼活性，...
关键词：KYbW晶体 TSSG法 振动光谱 
Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究被引量：3
《人工晶体学报》2006年第2期213-216,共4页刘文莉 王成伟 孙晶 张亮 刘景和 
本文采用提拉法生长了Cr，Yb，Ho：YAGG可调谐激光晶体，并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响，最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳工艺条件：温度梯度为0．5℃／mm，提拉...
关键词：Cr Yb Ho:YAGG 可调谐激光晶体 晶体开裂 
Er∶Yb∶KGW激光晶体生长及缺陷研究被引量：3
《中国稀土学报》2006年第z1期92-95,共4页张莹 王成伟 刘文莉 张礼杰 李建利 刘景和 
采用顶部籽晶(TSSG)法生长Er:Yb:KGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件:转速:30～40 r·min-1;拉速:1～2 mm·d-1;降温生长速率:0.05 ℃·h-1;降温速率:15 ℃·h-1;生长周期:15～2...
关键词：Er:Yb:KGW 晶体生长 顶部籽晶提拉法 缺陷 稀土 
稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长被引量：2
《硅酸盐学报》2005年第12期1468-1471,共4页王宇明 刘文莉 张礼杰 李建利 万玉春 雷鸣 刘景和 
总装预研项目(41312040801)资助项目。~~
以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd^(3+),Yb^(3+),Er^(3+)和Er^(3+)+Yb^(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转...
关键词：稀土离子 钨酸钆钾晶体 晶体生K 顶部籽晶溶液提拉法 
GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3
《光电子技术与信息》2005年第4期23-25,共3页刘文莉 李林 钟景昌 王晓华 刘国军 
高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3603)
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)...
关键词：量子阱 光荧光(PL)谱 Ⅴ/Ⅲ束流比 
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