垂直腔面发射激光器中的新结构研究  

A New Structure for Vertical-Cavity Surface Emitting Laser

作　　者：郝永芹[1] 刘文莉[1] 钟景昌[1] 张永明[1] 冯源[1] 赵英杰[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《兵工学报》2007年第2期167-169,共3页Acta Armamentarii

摘　　要：通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。A new mesa structure with ring-distributed perforations was presented, and vertical-cavity surface emitting laser（VCSEL） with such structure was fabricated. The testing results show that these VCSELs operate with good performance, light output power is 1.34 times as much as that with ring groove.

关 键 词：光学 半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器 

分 类 号：TN305.5[电子电信—物理电子学]