氧化物限制

作品数：7被引量：12H指数：2
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相关作者：郝永芹晏长岭冯源赵英杰钟景昌更多>>
相关机构：长春理工大学株式会社理光深亮智能技术(中山)有限公司厦门市三安集成电路有限公司更多>>
相关期刊：《大气与环境光学学报》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》《兵工学报》更多>>
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垂直腔面发射激光器中的新结构研究被引量：2
《兵工学报》2007年第2期167-169,共3页郝永芹 刘文莉 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 
通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
关键词：光学 半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器 
垂直腔面发射激光器的新结构设计被引量：1
《长春理工大学学报（自然科学版）》2006年第4期5-7,共3页赵英杰 郝永芹 姜晓光 李海军 刘波 
国家重点实验室基金
设计了一种新结构垂直腔面发射激光器(VCSEL),即采用环形分布孔结构取代以往的环形沟槽结构。由于环形分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,很好的解决了电极过沟断线问题。并且器件表现了很好的输出特性,这种新结构器件...
关键词：半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器 
AlGaAs湿法氧化特性实验研究
《大气与环境光学学报》2006年第4期73-76,共4页曾丽娜 赵英杰 钟景昌 
研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率,影响到氧化物限制工艺的整体质量。实验得到AlxGa1-xAs...
关键词：氧化物限制 湿法氧化 
选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用
《长春理工大学学报（自然科学版）》2005年第4期13-15,共3页谢浩锐 钟景昌 赵英杰 郝永芹 姜晓光 冯源 张和保 魏东 
国家自然科学基金(60306004);武器装备预研支撑项目
讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对A l0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。综合考虑各因素,得到最佳氧化条件:氧化温度为420℃,氧化载气的气体流量1.6L/m in,此时的氧化速率为0.58μm/m in。
关键词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 选择氧化 氧化物限制 氧化速率 
850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性被引量：8
《Journal of Semiconductors》2005年第5期1024-1027,共4页张永明 钟景昌 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟 
兵器工业总公司"十五"支撑资助项目~~
采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率效率由0．3mW／mA降到0．2mW／mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K，器件的基模红移为0．1...
关键词：垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性 
垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
《半导体光电》2005年第2期124-127,共4页谢浩锐 钟景昌 赵英杰 王晓华 郝永芹 刘春玲 姜晓光 
国家自然科学基金资助项目(60306004);武器装备预研支撑项目.
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ...
关键词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 氧化物限制 氧化速率 
VCSEL氧化物限制工艺研究被引量：2
《长春理工大学学报（自然科学版）》2004年第1期56-58,共3页赵英杰 刘文莉 李林 郝永芹 姜晓光 苏伟 晏长岭 
国家自然科学基金 (60 3 0 60 0 4);武器装备预研支撑项目
介绍了研制垂直腔面发射半导体激光器 (VCSEL)核心技术之一 ,氧化物限制工艺 ,讨论了温度与氧化速率之间的关系。
关键词：垂直腔 面发射 半导体激光器 VCSEL 氧化物限制工艺 
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