VCSEL氧化物限制工艺研究  

Study on Oxidation Confinement Process of Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers

作　　者：赵英杰[1] 刘文莉[1] 李林[1] 郝永芹[1] 姜晓光[1] 苏伟[1] 晏长岭[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《长春理工大学学报（自然科学版）》2004年第1期56-58,共3页Journal of Changchun University of Science and Technology(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金 (60 3 0 60 0 4);武器装备预研支撑项目

摘　　要：介绍了研制垂直腔面发射半导体激光器 (VCSEL)核心技术之一 ,氧化物限制工艺 ,讨论了温度与氧化速率之间的关系。Steam oxidation process of AlAs of vertical cavity surface-emitting lasers is studied. Oxidation rate is extracted from available experimental data as function of temperature.

关 键 词：垂直腔 面发射 半导体激光器 VCSEL 氧化物限制工艺 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]