选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用  

Application of Selective Oxidation Technique in Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

作　　者：谢浩锐[1] 钟景昌[1] 赵英杰[1] 郝永芹[1] 姜晓光[1] 冯源[1] 张和保[1] 魏东[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《长春理工大学学报（自然科学版）》2005年第4期13-15,共3页Journal of Changchun University of Science and Technology(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金(60306004);武器装备预研支撑项目

摘　　要：讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对A l0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。综合考虑各因素,得到最佳氧化条件:氧化温度为420℃,氧化载气的气体流量1.6L/m in,此时的氧化速率为0.58μm/m in。Oxidation time, oxidation temperature and oxidation carrier gas flow influence on Al0.98Ga0.02As layer oxidation depth and oxidation rate are discussed. The optimal oxidation conditions are obtained, with considering various factors oxidation temperature： 420℃ ; oxidation carrier gas flow ： 1.6L/min; oxidation rate ： 0. 58 μm/min.

关 键 词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 选择氧化 氧化物限制 氧化速率 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]