850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性  

Temperature Characteristics of 850nm Oxide Confined VCSELs

作　　者：张永明[1] 钟景昌 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第5期1024-1027,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：兵器工业总公司"十五"支撑资助项目~~

摘　　要：采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率效率由0．3mW／mA降到0．2mW／mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K，器件的基模红移为0．11nm／mW，实验确定其热阻为2．02℃／mW．Temperature characteristics of 850nm oxide confi ned VCSELs have been investigated in heat tight system.Normal operations of the devices are observed at as high as 80℃.The slope efficiency of the devices decreases from 0.3 to 0.2mW/mA at 20～80℃.According to temperature dependence of threshold current,the characteristic temperature of 350K is obtained.The fundamental mode of the devices shifts to longer wavelengths by 0.11nm/mW.The thermal resistance of the devices,determined by experiment is 2.02℃/mW.

关 键 词：垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性 

分 类 号：TN929.1[电子电信—通信与信息系统]