垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究  

Oxidation Process of Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

作　　者：谢浩锐[1] 钟景昌[1] 赵英杰[1] 王晓华[1] 郝永芹[1] 刘春玲[1] 姜晓光[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《半导体光电》2005年第2期124-127,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60306004);武器装备预研支撑项目.

摘　　要：在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min。用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW。The oxide-confined structure is often used to confine current and optical field in vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL). The influences of oxidation time, oxidation temperature and oxidation carrier gas flow on oxidation depth and oxidation rate of Al0.98Ga0.2As layer are discussed respectively. The optimal oxidation conditions are finally obtained, that is oxidation temperature: 422°C; oxidation carrier gas flow: l.5 L/min; oxidation rate: 0.6 μm/min. The threshold current of VCSEL under the above oxidation conditions is about 1.8 mA at room temperature. The maximum power is 7.96 mW.

关 键 词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 氧化物限制 氧化速率 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]