王玉霞

作品数：26被引量：110H指数：6
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发文主题：半导体光电子器件半导体激光器高亮度光束质量激光器更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自然科学总论更多>>
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GaN基LED中Ag/ITO复合膜的光电性能研究
《长春大学学报》2013年第2期180-184,共5页喻斌 王玉霞 
制备含有不同厚度Ag(0.5、2、4nm)的Ag/ITO多层膜沉积在以蓝宝石为衬底的外延片上并与P-GaN相接触,经过一定的退火处理。研究了Ag厚度、退火温度、退火时间对Ag/ITO多层膜的透过率、方块电阻和接触电阻率的影响。得出这种光电性能优良的...
关键词：Ag/ITO P-GAN 透过率 方块电阻 接触电阻 
VCSEL发光特性模拟被引量：1
《中国科技信息》2013年第1期46-46,48,共2页刘雪贞 王玉霞 倪琴菲 喻斌 张天成 严伟 
垂直腔半导体激光器(VCSEL)以优于传统的边发射激光器的性能,在很多应用领域已经占据了越来越重要的地位,要很好的研究它的应用价值就必须了解它的特性。本文采用SILVACO仿真软件对VCSEL的发光特性以及热特性进行仿真。得到了一些VCSEL...
关键词：SILVACO VCSEL 发光特性 热特性 
GaSb基半导体激光器功率效率研究被引量：11
《中国激光》2012年第1期54-57,共4页王跃 刘国军 李俊承 安宁 李占国 王玉霞 魏志鹏 
基础科研项目(A3620080229);国家自然科学基金(61006039)资助课题
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150℃～450℃退火温度下欧姆接触的实验研究,结果表明,...
关键词：激光器 GaSb基半导体激光器 欧姆接触 接触电阻率 功率效率 
无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器被引量：5
《中国激光》2011年第4期13-18,共6页乔忠良 薄报学 高欣 张斯钰 王玉霞 芦鹏 李辉 王勇 李特 李再金 曲轶 刘国军 
国家973计划(6135602);武器装备基金(9140C3102071002);吉林省科技厅项目资助课题
提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点。基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的模式滤波结构,利用Al...
关键词：激光器 高亮度半导体激光器 模式滤波 无吸收无源波导 ALN 应力 
808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究被引量：4
《物理学报》2011年第6期293-297,共5页郝永芹 冯源 王菲 晏长岭 赵英杰 王晓华 王玉霞 姜会林 高欣 薄报学 
国家自然科学基金(批准号:61076039);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-07-0122)资助的课题~~
垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的...
关键词：半导体激光器 垂直腔面发射激光器 高功率 大孔径 
AlN薄膜的热应力模拟计算被引量：1
《光机电信息》2011年第1期10-14,共5页邹微微 王玉霞 徐扬 张秀 
本文通过ANSYS有限元分析软件对薄膜的热应力进行了模拟计算,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了薄膜应力值及分布情况,分析了薄膜沉积温度与薄膜厚度对薄膜度应力的影响。从模拟的结果可以看出,薄膜上表面X方向应力主要集中在薄...
关键词：热应力 ALN薄膜 有限元 
蓝宝石衬底上透明Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备及表征
《硅酸盐学报》2010年第11期2105-2109,共5页张希艳 刘全生 王玉霞 柏朝晖 王晓春 孙海鹰 
国家自然科学基金(50772016)资助项目
采用射频磁控溅射法在Al_2O_3(001)衬底上制备了高Mg含量的Mg_xZn_(1-x)O薄膜,研究了Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学性能。结果表明:Al_2O_3(001)衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜的组分为Mg_(0.47)Zn_(0.53)O,薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c轴...
关键词：氧化锌镁 射频磁控溅射 蓝宝石衬底 透明薄膜 
多线阵半导体激光器的单光纤耦合输出被引量：20
《光子学报》2010年第7期1229-1234,共6页高欣 薄报学 乔忠良 芦鹏 王玉霞 李辉 曲轶 
国家自然科学基金(60474026;60477010)资助
设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用了分子束外延方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的线阵半导体激光器,器件腔长为1.2mm,单个发光单元宽度为10...
关键词：线阵半导体激光器 光纤耦合 空间合束 光束变换 
Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构及光学性能被引量：2
《光子学报》2010年第1期67-70,共4页刘全生 张希艳 王玉霞 卢利平 孙海鹰 王晓春 柏朝晖 王能利 米晓云 
国家自然科学基金(50772016)资助
采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜,研究了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构和光学性能。结果表明,Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.03 nm...
关键词：Mg0.33Zn0.67O薄膜 射频磁控溅射 硅衬底 紫外发光 
径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器被引量：5
《光子学报》2010年第1期1-5,共5页侯立峰 钟钢 赵英杰 王玉霞 郝永芹 冯源 姜晓光 谢浩瑞 
国家自然科学基金(60676059);吉林省科技发展计划项目(20080331)资助
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低...
关键词：高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 径向桥 热拐点 
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