P-GAN

作品数：141被引量：183H指数：5
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高阈值电压的半环绕式MIS栅极P-GaNHEMT
《半导体技术》2025年第4期333-338,共6页何晓宁 贾茂 李明志 侯斌 杨凌 马晓华 
陕西省创新能力支撑计划项目(2022KRW04)。
p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属...
关键词：半环绕栅(GSA) 常关型 ALGAN/GAN HEMT p-GaN栅极 电学特性 
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
《半导体技术》2025年第3期241-247,共7页范继锋 王永强 张艺 李巍 雷鹏 
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
关键词：GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压 
栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
《沈阳理工大学学报》2025年第1期72-77,共6页都继瑶 
辽宁省教育厅高等学校基本科研项目(JYTQN2023044);辽宁省属本科高校基本科研业务费专项资金资助项目。
高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGa...
关键词：p-GaN/AlGaN/GaN异质结 AlN介质层 常关型器件 金属/绝缘体/半导体 栅极非覆盖区 
增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期16-21,共6页鲍诚 王登贵 任春江 周建军 倪志远 章军云 
五十五所稳定支持资助项目(2310N061);国家自然科学基金资助项目(62104218)。
阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅...
关键词：GaN HEMT P-GAN 阈值电压 栅极漏电 热应力 电应力 
Low-resistance Ohmic contact for GaN-based laser diodes
《Journal of Semiconductors》2024年第12期145-150,共6页Junfei Wang Junhui Hu Chaowen Guan Songke Fang Zhichong Wang Guobin Wang Ke Xu Tengbo Lv Xiaoli Wang Jianyang Shi Ziwei Li Junwen Zhang Nan Chi Chao Shen 
funded by the Natural Science Foundation of China Project,grant number 62274042;Natural Science Foundation of Shanghai,grant number 21ZR1406200;the Key Research and Development Program of Jiangsu Province,grant number BE2021008-5.
Low-resistance Ohmic contact is critical for the high efficiency GaN-based laser diodes.This study investigates the introduction of the In_(0.15)Ga_(0.85)N contact layer on the specific contact resistance.Experimental...
关键词：P-GAN Ohmic contact specific contact resistance 
Investigation into epitaxial growth optimization of a novel AlGaN/GaN HEMT structure for application in UV photodetectors
《Science China Materials》2024年第9期2828-2837,共10页Zhiyuan Liu Wanglong Wu Xiong Yang Menglong Zhang Lixiang Han Jianpeng Lei Quansheng Zheng Nengjie Huo Xiaozhou Wang Jingbo Li 
supported by the National Natural Science Foundation of China(11904108);Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation(2020B1515020032);"The pearl River Talent Recruitment Program"(2019ZT08X639)。
In this work,a novel ultraviolet(UV)photodetector(PD)based on AlGaN/u-GaN/p-GaN/u-GaN heterojunction high electron mobility transistor(HEMT)has been developed.This HEMT epilayer is grown using the metal-organic chemic...
关键词：AlGaN/GaN-based HEMT epitaxial growth by MOCVD p-GaN/u-GaN junction UV photodetector 
Demonstration of normally-off p-channel GaN transistor with high threshold voltage and low subthreshold swing based on single p-GaN被引量：1
《Science China(Information Sciences)》2024年第9期344-345,共2页Yangfeng LI Zian DONG Shuai CHEN Qin WANG Tong LI Shulin CHEN Kun ZHENG Jie ZHANG Guojian DING Yang WANG Haiqiang JIA Rong YANG Lei LIAO 
supported by Hunan Provincial Natural Science Foundation of China(Grant No.2024JJ6157);Natural Science Foundation of Changsha(Grant No.kq2208213);National Natural Science Foundation of China(Grant No.62122084);Education Department of Hunan Province(Grant No.22B0020);Synergetic Extreme Condition User Facility(Grant No.2024-SECUF-PT-001871);Fundamental Research Funds for the Central Universities(Grant No.531118010804)。
GaN outperforms silicon in applications with high power and high frequency owing to the high critical electric field and high electron mobility.However,the hole-based GaN transistors which are pivotal to the GaN-based...
关键词：channel GAN TRANSISTOR 
基于改进Skip-GAN的高速铁路巡检图像异常检测被引量：1
《铁道学报》2024年第9期121-128,共8页何庆 刘震 王启航 张岷 王平 
国家自然科学基金(51878576,U1934214);陕西省重点研发计划(2021ZDLGY02-03)。
针对高速铁路探伤巡检过程中普遍存在的训练样本不平衡和打标签复杂等问题,提出一种改进的Skip-GAN算法,对巡检图像中存在的多类病害进行无监督检测。对高速铁路巡检图像进行预处理,包括轨道板分割和数据增强,减少排水沟和明暗环境对网...
关键词：高速铁路 巡检图像 异常检测 GAN 无监督学习 深度学习 
Achievable hole concentration at room temperature as a function of Mg concentration for MOCVD-grown p-GaN after sufficient annealing
《Journal of Semiconductors》2024年第8期67-73,共7页Siyi Huang Masao Ikeda Feng Zhang Minglong Zhang Jianjun Zhu Shuming Zhang Jianping Liu 
supported by the National Natural Science Foundation of China(62150710548,61834008,U21A20493);the National Key Research and Development Program of China(2022YFB2802801);the Key Research and Development Program of Jiangsu Province(BE2021008-1);the Suzhou Key Laboratory of New-type Laser Display Technology(SZS2022007);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20232042).
Relationship between the hole concentration at room temperature and the Mg doping concentration in p-GaN grown by MOCVD after sufficient annealing was studied in this paper.Different annealing conditions were applied ...
关键词：P-GAN hole concentration electrical properties ANNEALING ionization energy 
基于TCP-GAN的热带气旋路径预测
《江苏科技大学学报（自然科学版）》2024年第3期70-76,共7页张芮 杭仁龙 刘英杰 
国家自然科学基金青年基金项目(62206115);江苏省自然科学基金青年基金项目(BK20220646)。
准确预测热带气旋路径对于中国沿海地区的防灾减灾具有重要作用.卫星数据是预测热带气旋的重要手段,针对现有方法生成的卫星图像不够清晰,很难准确判断热带气旋云系的轮廓,提出了一种基于TCP-GAN的热带气旋路径预测方法.采用了生成对抗...
关键词：生成对抗网络 卫星云图外推 热带气旋路径预测 葵花-8 
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