冯志宏

作品数：5被引量：9H指数：1
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发文主题：SI衬底氮化镓功率密度异质结迁移率更多>>
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4H-SiC同质外延层的质量表征
《微纳电子技术》2009年第9期535-539,共5页李佳 冯志宏 陈昊 蔡树军 
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量...
关键词：4H-SIC XRD AFM 同质外延 汞探针C-V 迁移率 
Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析被引量：6
《微纳电子技术》2008年第12期703-705,711,共4页尹甲运 刘波 张森 冯志宏 冯震 蔡树军 
对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO...
关键词：氮化镓 AlN插入层 喇曼散射 光荧光谱 应力 SI衬底 
MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第11期639-642,共4页刘波 袁凤坡 尹甲运 刘英斌 冯震 冯志宏 
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面...
关键词：ALGAN 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 原子力显微镜 透射光谱 
Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第12期1949-1951,共3页冯志宏 尹甲运 袁凤坡 刘波 梁栋 默江辉 张志国 王勇 冯震 李效白 杨克武 蔡树军 
利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1m...
关键词：SI衬底 GAN HEMT XRD半高宽 二维电子气迁移率 功率密度 
蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究被引量：1
《半导体技术》2007年第6期497-500,共4页袁凤坡 梁栋 尹甲运 许敏 刘波 冯志宏 
国家部委基金项目
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1970 ...
关键词：金属有机化学气相外延淀积 氮化镓 铝镓氮/氮化镓 异质结 二维电子气 
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