王勇

作品数：28被引量：28H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：GANSIC_MESFETX波段输出功率HEMT更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《中北大学学报（自然科学版）》《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金天津市自然科学基金更多>>
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3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制被引量：1
《半导体技术》2017年第3期190-193,214,共5页王永维 王敬轩 刘忠山 闫伟 王勇 党冀萍 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,...
关键词：4H-SIC 肖特基势垒二极管 混合功率模块 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 多重场限环 
栅结构对功率SiC MESFET器件性能的影响
《半导体技术》2013年第5期361-364,共4页李岚 王勇 默江辉 李亮 蔡树军 
报道了对SiC MESFET器件多种纵向结构设计进行的研究和分析,设计了采用单凹槽栅结构、多凹槽栅结构和介质埋栅结构三种不同纵向结构器件,并对三种器件结构进行了仿真优化。对于大功率微波器件,击穿电压和微波性能是判定器件直流及微波...
关键词：SiCMESFET 栅结构 输出功率 凹槽栅 介质埋栅 
HEMT器件力电耦合传感特性测试
《传感器与微系统》2012年第5期145-146,152,共3页胡宇光 刘俊 王勇 
国家自然科学基金资助项目(50730009);电子测试国家重点实验室基金资助项目(9140C1204030907)
设计了在Si微结构与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)集成的微机电系统(MEMS)。通过微机械加工工艺,完成了力电耦合传感结构的加工。通过实验测试发现HEMT器件具备很强的力电耦合特性,测试结果在-1.5 V栅压下,HEMT器件对应力的灵敏度...
关键词：AlGaN/GaN/Si 高电子迁移率晶体管 力电耦合效应 灵敏度 
HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试
《仪表技术与传感器》2012年第4期7-9,14,共4页史伟莉 薛晨阳 唐建军 王勇 刘俊 张文栋 
国家自然科学基金资助项目(60806022;50730009;50535030);重点实验室基金(9140C1204030907);国家重点基础研究发展计划资助(2008CB317104)
根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度。通过ANSYS结构应力仿真,GaN基HEMT作为敏感单元置于微悬臂梁结构根部的应力最大处。同时对...
关键词：HEMT GAN 微加速度计 高灵敏度 
Si(111)异质外延表面光滑H-GaN的制备和表征
《传感器与微系统》2011年第7期48-50,共3页王帅 刘文怡 梁庭 王勇 刘俊 熊继军 
国家自然科学基金资助项目(60806022;50730009);国家重点实验室基金资助项目(9140C1204030907)
使用MOCVD工艺在单晶硅衬底(111)面上异质外延六方GaN。利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及Raman光谱仪等多种分析方法对薄膜样品的结构、形貌和光学性能进行表征和分析。测试结果表明:得到的...
关键词：异质外延 六方GaN 应力测试 光学测试 
GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试
《微纳电子技术》2011年第3期172-176,共5页张倩倩 唐建军 王勇 梁庭 熊继军 
国家自然科学基金资助项目(60806022;50730009);国家重点实验室基金资助项目(9140C1204030907)
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测...
关键词：加速度计 GaN ALGAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 力电耦合 压阻系数 温度 
大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究被引量：6
《半导体技术》2010年第7期658-660,668,共4页默江辉 王丽 刘博宁 李亮 王勇 陈昊 冯志红 何庆国 蔡树军 
重点实验室基金(914A08050509D223)
采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四...
关键词：SiCMESFET 内匹配 大功率 
S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究被引量：3
《微波学报》2010年第2期78-80,96,共4页默江辉 李亦凌 王勇 潘宏菽 李亮 陈昊 蔡树军 
采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放...
关键词：SIC MESFET 预匹配 推挽放大器 
异质外延Si/GaN应力状态的拉曼光谱测试分析被引量：3
《激光与光电子学进展》2010年第8期130-134,共5页唐建军 梁庭 熊继军 王勇 薛晨阳 张文栋 
国家自然科学基金(60806022)资助课题
采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅(111)衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌矿结构。对样品进行自由和压力荷载状态下的拉曼光谱测试,结果表明,自由状态下,GaN处于张应力状态,最大...
关键词：光谱学 拉曼光谱 应力测试 异质外延 GAN 
介观压阻效应微陀螺仪的制造问题及改进方法
《中北大学学报（自然科学版）》2009年第6期624-629,共6页李孟委 杜康 刘俊 王勇 石云波 
国家自然基金资助项目(50675212)
将利用多势垒纳米膜介观压阻效应的高灵敏度器件应用在陀螺中,提出了介观压阻效应微陀螺仪结构,并论述了其工作原理.研究并开发了多势垒纳米膜及介观压阻效应微陀螺仪的制造工艺,通过对制造后的结构进行测试,发现了制造过程中的缺陷,包...
关键词：隧穿微陀螺仪 多势垒纳米膜 介观压阻效应 制造工艺 缺陷 
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