唐建军

作品数：5被引量：7H指数：2
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供职机构：中北大学电子与计算机科学技术学院电子测试技术国家重点实验室更多>>
发文主题：GAN微加速度计GAN基HEMT压阻测试分析更多>>
发文领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》《仪表技术与传感器》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
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HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试
《仪表技术与传感器》2012年第4期7-9,14,共4页史伟莉 薛晨阳 唐建军 王勇 刘俊 张文栋 
国家自然科学基金资助项目(60806022;50730009;50535030);重点实验室基金(9140C1204030907);国家重点基础研究发展计划资助(2008CB317104)
根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度。通过ANSYS结构应力仿真,GaN基HEMT作为敏感单元置于微悬臂梁结构根部的应力最大处。同时对...
关键词：HEMT GAN 微加速度计 高灵敏度 
GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第2期136-140,共5页王杰 张斌珍 刘君 唐建军 谭振新 贾晓娟 高杰 
国家自然基金重点资助项目(50730009)
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构...
关键词：共振隧穿二极管 I-V特性 砷化镓 发射极 
GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试
《微纳电子技术》2011年第3期172-176,共5页张倩倩 唐建军 王勇 梁庭 熊继军 
国家自然科学基金资助项目(60806022;50730009);国家重点实验室基金资助项目(9140C1204030907)
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测...
关键词：加速度计 GaN ALGAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 力电耦合 压阻系数 温度 
利用新设计磨具对铌酸锂晶片的减薄及减薄后的测试被引量：3
《材料科学与工程学报》2010年第6期934-937,共4页杜文龙 梁庭 薛晨阳 唐建军 叶挺 
国家863重大资助项目(2006AA040601);电子测试技术国家级重点实验室开放基金资助项目
铌酸锂晶体具有较强的热释电效应,由铌酸锂制作的红外传感器敏感头受到科研人员的广泛关注。将晶片与硅衬底在200°C和压力100N的条件下键合,利用自行设计的磨具将铌酸锂减薄到40微米,磨料由水与刚玉以1∶1的比例制成。本文讨论了铌酸...
关键词：铌酸锂 研磨 晶片 拉曼 原子力 
异质外延Si/GaN应力状态的拉曼光谱测试分析被引量：3
《激光与光电子学进展》2010年第8期130-134,共5页唐建军 梁庭 熊继军 王勇 薛晨阳 张文栋 
国家自然科学基金(60806022)资助课题
采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅(111)衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌矿结构。对样品进行自由和压力荷载状态下的拉曼光谱测试,结果表明,自由状态下,GaN处于张应力状态,最大...
关键词：光谱学 拉曼光谱 应力测试 异质外延 GAN 
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