云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 共振隧穿二极管

共振隧穿二极管: 作品数：109被引量：107H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郭维廉牛萍娟张世林郝跃梁惠来更多>>; 相关机构：中国科学院天津大学天津工业大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>

RTD太赫兹探测器与片上天线的匹配技术: 《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第8期828-834,共7页吕佳琦苏娟谭为; 高信息传输速率和大带宽容量的太赫兹通信被认为是实现6G的关键技术,这需要高效、稳定和紧凑的太赫兹源和探测器。为提升探测性能,研究了一种共振隧穿二极管(RTD)与缝隙天线片上集成的准光式太赫兹探测器。针对电路的高频损耗和寄生效...; 关键词：太赫兹探测器共振隧穿二极管缝隙天线阻抗匹配

基于共振隧穿二极管的140~220 GHz检波器设计: 《微波学报》2024年第S1期302-305,共4页茶兴增张勇; 本文基于AlGaN/GaN双势垒RTD,设计了一款工作频率范围为140~220 GHz的检波器。通过Silvaco Atlas TCAD仿真了该RTD器件,其峰谷电流比PVCR为1.5349、负微分电导GRTD为35.8852 m S,且构建了物理基模型对其进行了表征,实现了较好的拟合,从...; 关键词：共振隧穿二极管检波器太赫兹领结天线

基于共振隧穿二极管的太赫兹技术研究进展被引量：2: 《无线电通信技术》2024年第1期58-66,共9页刘军王靖思宋瑞良刘博文刘宁; 国家重点研发计划(2023YFE0206600)。; 共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode, RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,同时具有非线性特性和负阻特性,通过改变偏置电压可以作为太赫兹源和太赫兹探测器,在未来6G技术中通信感知一体化方面具有优势。简要总结了基于RTD...; 关键词：共振隧穿二极管太赫兹源太赫兹通信太赫兹探测器

共振隧穿二极管THz辐射源研究进展被引量：1: 《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第5期579-585,600,共8页彭雨欣孟雄孟得运; 太赫兹技术被称为“改变未来世界十大技术之一”,对基础科学研究、国民经济发展和国防建设具有重要意义,尤其在未来6G通信方面举足轻重。太赫兹波源是整个太赫兹技术研究的基础,也是太赫兹应用系统的核心部件。近年来,共振隧穿二极管(R...; 关键词：共振隧穿二级管太赫兹波源磷化铟氮化镓

基于共振隧穿二极管的近程太赫兹通信技术被引量：1: 《移动通信》2023年第5期32-37,共6页苏娟谭为; 太赫兹通信技术是实现6G愿景的关键底层技术之一,针对应用场景选择不同技术路线定制收发系统将是其发展趋势。RTD太赫兹收发模块具有室温、高频率、高灵敏度、易集成等特点,成为太赫兹通信技术领域的新星。通过介绍RTD太赫兹源、探测器...; 关键词：太赫兹通信共振隧穿二极管太赫兹源太赫兹探测

太赫兹共振隧穿二极管探测器研究进展及应用被引量：2: 《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第10期991-999,共9页王东双苏娟谭为; 太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近...; 关键词：太赫兹探测器共振隧穿二极管直接探测相干探测

氮化镓基共振隧穿二极管中极化效应的研究: 《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2022年第2期65-70,共6页容涛涛; 陕西省教育厅专项科研计划项目(20JK0488);宝鸡文理学院研究生启动项目(ZK16136)。; 目的理论分析极化效应对用于太赫兹波段的氮化镓(GaN)基共振隧穿二极管(RTD)器件特性的影响。方法通过半导体工艺以及器件模拟工具对GaN基RTD器件进行建模,在此模型的基础上对器件展开详尽的理论分析,从微观机理上揭示极化效应对器件...; 关键词：氮化镓共振隧穿二极管峰值电压

InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现被引量：3: 《红外与毫米波学报》2022年第2期443-447,共5页刘军宋瑞良刘宁梁士雄; Supported by National Key R&D Program of China(2018YFE0202500);National Key Research and Development Program of China(2017YFC08219);Manned Space Advanced Research Project(060401);Advanced Research Project of Civil Aerospace Technology(B0105)。; 利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RT...; 关键词：太赫兹共振隧穿二极管振荡器

基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2: 《电子技术应用》2019年第8期32-33,39,共3页车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红; 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温...; 关键词：共振隧穿二极管峰值电流密度峰谷电流比

基于RTD的新型全加器设计: 《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第4期748-752,共5页冯杰姚茂群; 国家自然科学基金资助项目(61771179;61271124);浙江省自然科学基金资助项目(LY15F010011); 单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)是基于共振隧穿二极管(RTD)电路的一个重要逻辑单元,非常适合阈值逻辑电路设计。由MOBILE可以构成阈值逻辑门(TG)和广义阈值逻辑门(GTG)等阈值逻辑电路。本文通过将三变量异或函数转化为较简单、理想的GTG...; 关键词：共振隧穿二极管(RTD) 单双稳态转换逻辑单元(MOBILE) 阈值逻辑电路三变量异或门全加器

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