峰谷电流比

作品数：8被引量：6H指数：2
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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2
《电子技术应用》2019年第8期32-33,39,共3页车相辉 梁士雄 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温...
关键词：共振隧穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比 
InP材料体系RTD的研制
《电子器件》2007年第4期1168-1170,共3页高金环 杨瑞霞 武一宾 贾科进 商耀辉 张磊 杨克武 
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为...
关键词：共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 INP衬底 PL谱 峰谷电流比 
平面型共振隧穿二极管的制作(英文)
《纳米技术与精密工程》2007年第3期197-199,共3页胡留长 郭维廉 张世林 梁惠来 
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3.4.通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成.
关键词：共振隧穿二极管 离子注入 峰谷电流比 
共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析
《Journal of Semiconductors》2007年第5期737-740,共4页张磊 杨瑞霞 武一宾 商耀辉 高金环 
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2·4,峰值电流密度达到36·8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量...
关键词：共振隧穿二极管 I-V特性曲线 峰谷电流比 负微分电阻 
纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期41-43,共3页张杨 曾一平 马龙 王保强 朱战平 王良臣 杨富华 
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.
关键词：共振隧穿二极管 INP基 分子束外延 
平面型共振隧穿二极管和其组成MOBILE
《天津大学学报》2006年第11期1360-1363,共4页胡留长 郭维廉 张世林 梁惠来 姚素英 
超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(51432010204JW1401)
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,...
关键词：平面型共振隧穿二极管 离子注入 峰谷电流比 
室温下Si/Si_(1-x)Ge_x共振隧穿二极管的数值模拟
《Journal of Semiconductors》2006年第5期869-873,共5页李涛 余志平 王燕 黄雷 向采兰 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:041505002)~~
采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nmSi/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入secondupwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不...
关键词：Si/Si1-xGex共振隧穿二极管 量子水动力学模型 离散方法 轻重空穴 峰谷电流比 
基于SiGe／Si的空穴型共振隧穿二极管被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期128-131,共4页熊晨荣 王民生 黄文韬 陈培毅 王燕 罗广礼 
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589kA／cm^2，对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1．24，Jp=1．086kA／cm^2，两种情况下，较低的P...
关键词：共振隧道二极管 SIGE/SI 势垒 量子阱 峰谷电流比 
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