共振隧道二极管

作品数：3被引量：5H指数：1
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一种基于砷化镓衬底的高峰——谷电流比的共振隧穿二极管
《煤炭技术》2010年第12期56-57,共2页高振萍 蔡一鸣 
基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga0.76As主势垒层。在室温下,这种RTD偏压下峰—谷电流比(PVCR)达到4.68,其最高峰值电流密度为...
关键词：主势垒 共振隧道二极管 PVCR 
基于SiGe／Si的空穴型共振隧穿二极管被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期128-131,共4页熊晨荣 王民生 黄文韬 陈培毅 王燕 罗广礼 
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589kA／cm^2，对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1．24，Jp=1．086kA／cm^2，两种情况下，较低的P...
关键词：共振隧道二极管 SIGE/SI 势垒 量子阱 峰谷电流比 
纳米级隧道效应器件——双电子层隧道晶体管和共振隧道二极管被引量：1
《电子产品世界》2001年第7期53-54,共2页徐毓龙 
随着电子技术由微米时代进入纳米时代，基于量子隧道效应的器件和电路显示出其优越性。本文介 绍两种电子隧道器件：双电子层晶体管和共振隧道二极管。
关键词：纳米电子学 量子隧道效应 双电子层晶体管 共振隧道二极管 
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