蔡一鸣

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发文主题：PVCR共振隧道二极管共振隧穿二极管电流比势垒更多>>
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一种基于砷化镓衬底的高峰——谷电流比的共振隧穿二极管
《煤炭技术》2010年第12期56-57,共2页高振萍 蔡一鸣 
基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga0.76As主势垒层。在室温下,这种RTD偏压下峰—谷电流比(PVCR)达到4.68,其最高峰值电流密度为...
关键词：主势垒 共振隧道二极管 PVCR 
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