基于SiGe／Si的空穴型共振隧穿二极管  

作　　者：熊晨荣[1] 王民生[1] 黄文韬[1] 陈培毅[1] 王燕[1] 罗广礼[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所，北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期128-131,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589kA／cm^2，对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1．24，Jp=1．086kA／cm^2，两种情况下，较低的PVCR可归结为Ge2Si1-x／Si异质结构本身的能级特性和热效应。

关 键 词：共振隧道二极管 SIGE/SI 势垒 量子阱 峰谷电流比 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]