云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张杨

张杨: 作品数：12被引量：10H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：高电子迁移率晶体管电子束曝光生物传感器隔离层锑化物更多>>; 发文领域：电子电信医药卫生一般工业技术自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《发光学报》《微纳电子技术》《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>

利用变温瞬态电致发光研究OLED载流子的输运机理: 《发光学报》2017年第10期1321-1326,共6页袁超关敏张杨李弋洋刘兴昉刘爽杰曾一平; 国家自然科学基金(61274049;61574140);病毒学国家重点实验室开放基金(2017IOV002);国家重点研发计划(2017YFB0405400;2016YFB0400500)资助项目~~; 研究了不同温度下几种结构的有机电致发光器件(OLED)的瞬态电致发光响应特性以及电流密度-电压-亮度特性。研究发现,启亮电压随温度升高而减小的加速度在200 K时出现拐点,且这一数值主要由电子传输层Alq3的迁移率决定。当温度为200 K时...; 关键词：有机电致发光瞬态电致发光响应载流子输运低温

有机电致发光器件的瞬态电响应特性被引量：1: 《发光学报》2015年第6期699-704,共6页牛立涛关敏楚新波曾一平李弋洋张杨; 国家自然科学基金(61274049;61204012);北京自然科学基金(4132070;4142053)资助项目; 详细研究了有机发光二极管(OLED)在脉冲电压下的瞬态电流响应特性。瞬态响应电流由3部分组成:正向电流峰(IP)、稳态电流(IS)及反向电流峰(IN)。研究发现IS为器件工作时通过器件的电流,而IN与IP则分别对应OLED器件电极/有机界面附近的空...; 关键词：有机发光二极管瞬态电流响应界面空间电荷

锑化物HEMT器件研究进展: 《功能材料与器件学报》2011年第1期29-35,共7页李彦波刘超张杨曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004); 由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器...; 关键词：锑化物半导体高电子迁移率晶体管 HEMT ABCS 研究进展

锑化物超晶格红外探测器的研究进展被引量：4: 《固体电子学研究与进展》2010年第1期11-17,共7页李彦波刘超张杨赵杰曾一平; 国家自然科学基金资助项目(60876004); InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广...; 关键词：第三代红外探测器砷化铟/铟镓锑 Ⅱ类超晶格双色探测器

A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design: 《Journal of Semiconductors》2008年第9期1654-1656,共3页陈志刚张杨罗卫军张仁平杨富华王晓亮李晋闽; We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） on sapphire substrate using a new kind of electron beam （EB） lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change th...; 关键词：GAN HEMT T-GATE layout

Fabrication of Silicon Crystal-Facet-Dependent Nanostructures by Electron-Beam Lithography: 《Journal of Semiconductors》2008年第6期1057-1061,共5页杨香韩伟华王颖张杨杨富华; 国家自然科学基金(批准号:60506017,60776059);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z303)资助项目~~; Silicon crystal-facet-dependent nanostructures have been successfully fabricated on a （100）-oriented silicon-oninsulator wafer using electron-beam lithography and the silicon anisotropic wet etching technique. This ...; 关键词：silicon nanostructure anisotropic wet etching electron-beam lithography

高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第4期563-566,共4页马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302750)~~; 在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.; 关键词：共振隧穿二极管峰-谷电流比电流-电压特性器件模拟

RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期414-417,共4页马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302750); 在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以...; 关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管磷化铟单片集成

纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期41-43,共3页张杨曾一平马龙王保强朱战平王良臣杨富华; 利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰值电流密度接近3kA/cm2,峰和谷的电流密度比率达到19.; 关键词：共振隧穿二极管 INP基分子束外延

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2006年第9期1640-1644,共5页杜伟许兴胜韩伟华王春霞张杨杨富华陈弘达; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60345008;60377011;60537010)~~; 结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.; 关键词：光子晶体电子束曝光 PMMA掩膜

张杨