A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design  

应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文)

作　　者：陈志刚[1] 张杨[1] 罗卫军[2] 张仁平[1] 杨富华[1] 王晓亮[2] 李晋闽[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第9期1654-1656,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） on sapphire substrate using a new kind of electron beam （EB） lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change the aspect ratio （ratio of top gate dimension to gate length） and modify the shape of the T-gate freely. Therefore, we obtain a 0.18μm gate-length AlGaN/GaN HEMT with a unity current gain cutoff frequency （fT） of 65GHz. The aspect ratio of the T-gate is 10. These single finger devices also exhibit a peak extrinsic transconductance of 287mS/mm and a maximum drain current as high as 980mA/mm.在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形状.所得的0.18μm栅长的器件,其特征频率(fT)为65GHz,T形栅的宽窄比为10.同时,测得的峰值跨导为287mS/mm,最大电流密度为980mA/mm.

关 键 词：GAN HEMT T-GATE layout 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]