罗卫军

作品数：27被引量：28H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：氮化镓HEMT金属GANALGAN/GAN更多>>
发文领域：电子电信电气工程化学工程医药卫生更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子器件》《Journal of Semiconductors》《功能材料》更多>>
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一种高频单片GaN DC-DC降压转换器设计
《微电子学》2024年第3期417-423,共7页何凡 沈红伟 来龙坤 罗卫军 
北京市科技计划项目资助项目(Z231100003823007)。
基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降...
关键词：GaN DC-DC降压转换器 单片电路 驱动电路 有源上拉结构 
GaN数字功率放大器技术进展被引量：1
《微电子学》2021年第6期778-785,共8页高媛 单月晖 罗卫军 
国家自然科学基金重点项目(61631021)。
峰均比的持续增大使得无线通讯终端需要更高功率、更高效率、更高频率的功率放大器,而现有模拟功放作为基站全数字化最后一道屏障,其效率和输出功率不足以满足现在无线通讯的需求。GaN数字功率放大器作为一种工作在开关状态的数字功放,...
关键词：氮化镓基 数字功率放大器 开关模式 D类 包络跟踪 
Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型被引量：1
《半导体技术》2020年第5期371-378,共8页张静 梁竞贤 来龙坤 徐进 张奕泽 闫江 罗卫军 
为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件结构,并对开关器件进行了小信号模型分析。采用传统的去嵌结构提...
关键词：InAlN/GaN HEMT 超薄势垒 栅极附加电阻 开关器件 小信号模型 单刀双掷(SPDT)开关 
采用CMOS工艺的C波段5bit数字移相器设计被引量：1
《微电子学与计算机》2019年第11期55-59,共5页张杰 吴蓉 徐进 梁竞贤 来龙坤 罗卫军 
甘肃省科技厅计划项目(18JR3RA123)
基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,采用片上巴伦、正交全通滤波器和吉尔伯特单元的设计方案,设计了一款C波段5 bit数字移相器.巴伦将单端输入信号分成两路反相的差分信号,并通过吉尔伯特单元将正交全通滤波器产生的正交信号进行矢量运算.在满...
关键词：相控阵 数字移相器 片上巴伦 正交全通滤波器 吉尔伯特单元 矢量合成 
GaN HEMT开关器件小信号模型被引量：2
《半导体技术》2018年第6期443-448,455,共7页张宗敬 雷天民 刘辉 张杰 耿苗 罗卫军 
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 开关 小信号模型 本征参数 误差因子 
X波段GaN基小相位移相器设计被引量：1
《半导体技术》2018年第4期255-259,共5页刘辉 孙朋朋 张宗敬 罗卫军 
基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测试结果表明,两个小...
关键词：移相器 低通开关滤波网络 GAN HEMT X波段 功率器件 
高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1
《微电子学与计算机》2017年第11期94-98,共5页张蓉 马晓华 罗卫军 刘辉 孙朋朋 耿苗 
国家自然科学基金(61334002)
在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD(原子层淀积)Al_2O_3介质层的方法研制器件.研制的增强型MIS-HEMT器件的阈值电压为+2.2V,饱和电流为512.3mA/mm.通过变频变温C-V方法测试提...
关键词：增强型 GaN MIS-HEMTs 电容-电压(C-V) 功率 
X波段4 bit MMIC数字移相器的设计与实现被引量：3
《半导体技术》2017年第6期431-435,共5页孙朋朋 刘辉 耿苗 张蓉 王琦 罗卫军 
基于WIN 0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。22.5°和45°移相单元采用开关滤波型拓扑结构,90°和180°移相单元采用高低通滤波型拓扑结构。对拓扑结构工作...
关键词：数字移相器 单片微波集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 开关滤波型 高低通型 
X波段大相位高低通移相器MMIC的设计与实现被引量：3
《半导体技术》2016年第9期669-673,共5页王琦 孙朋朋 张蓉 耿苗 刘辉 罗卫军 
基于WIN 0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,针对大相位移相器容易在宽带情形下出现的性能恶化问题,采用ADS2014仿真软件,成功设计并实现了两款大相位（90°和180°）的X波段（8-12 GHz）宽带数字移相器电路,其拓扑形...
关键词：数字移相器 高低通 单刀双掷(SPDT)开关 Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) X波段 
X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计被引量：1
《电子器件》2014年第3期441-444,共4页张霍 马佩军 罗卫军 姜元祺 刘新宇 
采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的...
关键词：射频电路设计 仿真 数字移相器 X波段 氮化镓 单片微波集成电路 
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