云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 单片电路

单片电路: 作品数：53被引量：37H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张勇陈堂胜李骁孙岩于伟华更多>>; 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学西安电子科技大学南京电子器件研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省教育厅科研计划更多>>

一种高频单片GaN DC-DC降压转换器设计: 《微电子学》2024年第3期417-423,共7页何凡沈红伟来龙坤罗卫军; 北京市科技计划项目资助项目(Z231100003823007)。; 基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降...; 关键词：GaN DC-DC降压转换器单片电路驱动电路有源上拉结构

基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制被引量：2: 《红外与毫米波学报》2022年第5期871-878,共8页孟进张德海牛斌朱皓天刘锶钰范道雨陈胜堂周明; 中国科学院青年创新促进会(E1213A041S);中科院国家空间科学中心“攀登计划”(E0PD40013S)。; 基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反...; 关键词：太赫兹单片电路谐波混频器宽带倍频

用“芯”铸就国之重器——记中国电科第55研究所核心芯片研制团队: 《中国教工》2021年第3期17-19,共3页张子芳吴宝城; 2月22日,中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平在北京人民大会堂会见探月工程嫦娥五号任务参研参试人员代表并参观月球样品和探月工程成果展览,充分肯定探月工程特别是嫦娥五号任务取得的成就。单片电路事业部副主任设计师蔺...; 关键词：北京人民大会堂中共中央总书记探月工程单片电路核心芯片科第成果展览团队

基于线性叠加技术的0.38THz四倍频器设计: 《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第1期7-10,共4页王亚冰何庆国刘亚男胡志富; 太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得...; 关键词：四倍频线性叠加单片电路环形巴伦零电长度

基于线性叠加技术的四倍频单片设计: 《电子科技》2017年第1期26-28,共3页王亚冰何庆国胡志富; 针对传统无源四倍频器需要两级二倍频级联且变频损耗较大等问题,利用线性叠加技术,研制了40 GHz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络相级联的方式,设计了四路移相功分结构,实现了基波和其他无用谐波的抑制,简化了电路设...; 关键词：四倍频线性叠加单片电路

单片电路晶体管模型参数提取专用TRL校准件被引量：8: 《计算机与数字工程》2015年第1期21-23,74,共4页刘晨孙静吴爱华栾鹏郑延秋梁法国; 为了满足GaAs微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在GaAs衬底上制作专用TRL校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片S参数测量的参考平面更加接近晶体...; 关键词：在片TRL校准在片S参数晶体管表征

E/D GaAs PHEMT多功能MMIC设计被引量：9: 《固体电子学研究与进展》2014年第1期29-34,40,共7页刘石生彭龙新潘晓枫沈宏昌; 基于E/D GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路,内含6bit数控移相器、6bit数控衰减器、3个低噪声放大器、4个数控单刀双掷开关、多个TTL数字驱动器。其中两个低噪声放...; 关键词：数字微波集成多功能单片电路数控移相器数控衰减器数字驱动器

Silicon photonic network-on-chip and enabling components被引量：2: 《Chinese Science Bulletin》2013年第7期543-553,共11页HU Ting QIU Chen YU Ping YANG LongZhi WANG WanJun JIANG XiaoQing YANG Mei ZHANG Lei YANG JianYi; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grants Nos. 60977043,61007063 and 61228501);National High-Tech Research & Development Program of China ("863" Project)(Grant No. 2012AA012203);Tang Zhongyin Fund;the Scholarship Award for Excellent Doctoral Student granted by the Ministry of Educationof China; As the transistor's feature scales down and the integration density of the monolithic circuit increases continuously,the traditional metal interconnects face significant performance limitation to meet the stringent de...; 关键词：光子器件片上网络硅组件金属互连光学技术单片电路集成密度

4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3: 《半导体技术》2013年第1期6-9,共4页许春良王绍东柳现发高学邦; 国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200); 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。...; 关键词：超宽带低噪声放大器行波微波单片集成电路砷化镓赝配高电子迁移率晶体管

紧凑结构的宽带毫米波单片IQ混频器的设计①: 《高技术通讯》2012年第12期1299-1303,共5页李芹徐雷钧李伟; 973计划（2010CB327404）和国家自然科学基金（60901012）资助项目.; 采用0．15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26—40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器。该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构，并把螺旋型Marchand巴伦（平衡一不平衡变换器）用于本振端和射频端，将...; 关键词：IQ混频器耦合器巴伦变频损耗镜像抑制度单片电路

单片电路