金属互连

作品数：48被引量：64H指数：4
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金属互连及其湿电子化学品的发展研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2024年第4期343-350,共8页陈黎萍 
随着集成电路关键尺寸的逐步减小,图形形貌分辨率要求提高。本文系统性地探讨了集成电路互连金属的发展路线,归纳了相应的湿电子化学品在清洗和电镀方面的工作原理,并阐述了光刻胶的发展路程以及抗反射涂层的基本原理。最后对互连材料...
关键词：金属互连 抗反射涂层 光刻胶 湿电子化学品 
高速电镀铜技术在先进封装金属互连中的研究进展
《微纳电子技术》2024年第7期54-61,共8页陈平 夏良 贺京峰 刘冰 
简单阐述了高速电镀铜技术在先进封装金属互连结构中的应用,重点介绍了电镀液、电镀设备和工艺控制三个因素对电镀速率和质量的影响,并对国内外电镀液添加剂种类、电镀液配方、电镀设备对流传质速率、电镀设备电流密度控制能力以及电镀...
关键词：高速电镀 先进封装 金属互连 酸性镀铜 工艺优化 
面向集成电路产业的电子电镀研究方法
《中国科学：化学》2023年第10期1822-1834,共13页金磊 杨家强 赵弈 王赵云 陈思余 郑安妮 宋韬 杨防祖 詹东平 
国家自然科学基金(编号:22132003、21972118、22021001)资助项目。
电子电镀是集成电路等高端电子制造产业的核心技术之一,其技术特点和难点在于在微纳米尺度通孔、盲孔、沟槽等限域空间内部实现金属镀层的均匀增厚或致密填充.然而,我国针对面向集成电路制造产业的微纳尺度电子电镀过程中的金属电沉积...
关键词：研究方法 电子电镀 集成电路 金属互连 
芯片金属互连中电镀添加剂的理论与实验研究
《中国科学：化学》2023年第10期1970-1988,共19页李亚强 李若鹏 江杰 杨培霞 张锦秋 刘安敏 Peter Broekmann 安茂忠 
国家自然科学基金(21972037);城市水资源与水环境国家重点实验室(哈尔滨工业大学)(2021TS07)资助项目。
电镀技术是实现芯片制程中金属互连的核心技术,而电镀所用添加剂是实现高质量互连的关键.本文系统地概述了电镀互连中添加剂的研究方法.首先对添加剂的电化学研究方法进行介绍,将电化学研究法分为伏安与阻抗分析法、恒电流研究法和其他...
关键词：芯片互连 添加剂 电化学方法 理论计算 先进表征 
一种采用互连线电容耦合的线计算电路设计
《西安电子科技大学学报》2022年第3期213-221,共9页李林 张会红 张跃军 
国家自然基金(61871244,61874078);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金(2019KF002);宁波市公益性计划项目(202002N3134);宁波市科技计划项目(202003N4107);宁波大学研究生SRIP项目(2020SRIP1320);宁波大学研究生科研创新基金(IF2021158)。
随着集成电路工艺节点的不断推进,互连线间的寄生效应越来越明显。互连线已经成为制约提高芯片计算能力的关键因素之一,考虑将互连线作为逻辑计算的设计方法引起设计者的广泛关注。通过对互连线间电容耦合效应的研究,提出一种采用金属...
关键词：电容耦合 金属互连线 线计算 逻辑门 译码器 
90nm SOI nMOSFET自加热效应研究
《半导体技术》2022年第5期369-372,380,共5页王娟娟 李江江 曾传滨 李逸帆 倪涛 罗家俊 赵发展 
国家自然科学基金资助项目(61804168)。
应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在...
关键词：绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 自加热效应 接触孔 金属互连线 
面向纳米尺度金属互连线的蒙特卡洛模拟方法研究
《北京大学学报（自然科学版）》2022年第2期201-209,共9页胡远钊 杜刚 杨燚 赵钰迪 赵凯 
北京市教委科研计划(KM202111232016)资助。
考虑各种尺度下金属互连线中主要的电子散射机制,提出一种可以准确地仿真金属互连线中电子输运特性的蒙特卡洛模拟方法。模拟结果表明,等离子激元散射对体材料互连线的电阻率贡献最大,其次是电子间散射;晶粒间界散射则主导纳米尺度线宽...
关键词：蒙特卡洛方法 散射 电阻率 金属互连 
硅基异构集成模块金属互连失效分析
《固体电子学研究与进展》2022年第1期68-72,共5页宋明宣 林罡 刘鹏飞 张洪泽 
介绍了硅基三维异构集成模块金属互连失效的一种定位方法。通过分析集成模块的金属互连结构,采用介质层剥离、金刚刀裂片、磨削制样等预处理方法,结合聚焦离子束(FIB)、电子能谱(EDAX)等工具,实现了故障点的有效定位。介绍了三维集成模...
关键词：异构集成 失效分析 双层布线 晶圆键合 
芯片制程中金属互连工艺及其相关理论研究进展被引量：17
《表面技术》2021年第7期24-43,164,共21页李亚强 马晓川 张锦秋 杨培霞 安茂忠 
国家自然科学基金(2197020448)。
随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小,集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝、铜,在互连线性能和可靠性方面渐渐无法满足人们的需求。钴在微纳尺度下因具有更好的电性能,有可能取代...
关键词：金属互连 铜互连 钴互连 超填充机理 形核与生长 
CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计被引量：1
《现代电子技术》2021年第3期162-166,共5页王月 何常德 张文栋 
国家重点研发计划:基于MEMS技术的阵列式微型声压传感器研制(2018YFF01010500);国家杰出青年科学基金:微纳米传感器原理与集成(6142500192)。
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸点实现与PCB板的垂直电连接。根据实际需求,设计一种基于CMUT面阵的无电镀硅通孔金属互连制备方法,采用...
关键词：CMUT面阵 上电极引线 TSV技术 深硅刻蚀 磁控溅射 金属互连 
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