双层布线

作品数：15被引量：6H指数：1
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硅基异构集成模块金属互连失效分析
《固体电子学研究与进展》2022年第1期68-72,共5页宋明宣 林罡 刘鹏飞 张洪泽 
介绍了硅基三维异构集成模块金属互连失效的一种定位方法。通过分析集成模块的金属互连结构,采用介质层剥离、金刚刀裂片、磨削制样等预处理方法,结合聚焦离子束(FIB)、电子能谱(EDAX)等工具,实现了故障点的有效定位。介绍了三维集成模...
关键词：异构集成 失效分析 双层布线 晶圆键合 
双层布线技术研究
《微处理机》2014年第6期19-21,共3页申猛 孔明 吴会利 
随着集成电路技术的发展,双层布线技术显得越来越重要。主要对双层布线中二次金属淀积前的通孔预处理技术进行了研究和探索,通过对反溅射时间、反溅射功率等不同工艺参数的对比实验,给出了最优的反溅射清洗工艺条件。
关键词：双层布线 反溅射 欧姆接触 
双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期266-269,共4页唐昭焕 王大平 梁涛 李荣强 王斌 任芳 崔伟 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品...
关键词：半导体工艺 刻蚀 铝互连 双层布线 倒梯形通孔 
部分耗尽CMOS/SOI工艺被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第6期806-810,共5页刘新宇 孙海峰 陈焕章 扈焕章 海潮和 刘忠立 和致经 吴德馨 
对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 ...
关键词：PBL 沟道工程 双层布线 CMOS/SOI工艺 集成电路 
一种采用微小通孔的双层布线技术
《微电子学》2001年第1期46-48,共3页杨国渝 伍乾永 陈鹏 
文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50
关键词：集成电路 双层布线 聚酰亚胺 层间介质 微小通孔 二氧化硅 
1.5μm双层布线Ｎ阱CMOS工艺研究
《集成电路通讯》2000年第2期1-2,,14,,共3页陈计学 
给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。
关键词：N阱CMOS 双层布线 PMOS 光刻 
大规模集成电路双层布线中的LTCVDPSG介质
《半导体技术》1999年第1期43-45,共3页孔令英 
论述了大规模集成电路双层布线中起介质和钝化作用的磷硅玻璃（ＰＳＧ）的淀积条件、厚度以及实际应用中的若干问题。
关键词：低温汽相淀积 PSG 双层布线 大规模集成电路 
一个基于Hopfield神经网络的双层布线通孔最少化算法
《电路与系统学报》1998年第3期59-64,共6页马琪 严晓浪 胡卫明 
本文在布线的群图模型基础上，利用离散型Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络解决群图的最大割问题，并着重论述了如何跳出局部优化点的问题，从而较好地解决了双层布线通孔最少化问题。算法考虑了许多来自实际的约束，并进行大量的布线实例验证。
关键词：VLSI 通孔最少化 最大割 神经网络 详细布线 
VLSI和PCB双层布线中的通孔最少化算法被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第7期533-539,共7页洪先龙 潘立 王尔乾 
国家自然科学基金
本文提出了一个新的通孔最少化层分配的图模型．该模型克服了传统层分配算法对通孔度数和位置的限制，允许通孔自由地以任意度数和任何需要的位置出现．模型中还提出了通孔秩的概念，它比较能更精确地反映通孔的本质．在此基础上，本文...
关键词：VLSI PCB 双层布线 通孔最少化算法 
双层布线的受限通孔最小化问题
《计算机辅助设计与图形学学报》1994年第3期192-198,共7页唐茂林 
国家自然科学基金会;"863"高技术计划的资助
本文提出了一种双层ＶＬＳＩ及ＰＣＢ布线的受限通孔最小化问题的新方法。该方法允许通孔候选点所关联的线网段的数目任意多个，且与初始布线所采用的线网连接方式无关。
关键词：双层布线 通孔最小化 线网段 PCB 
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