层间介质

作品数:16被引量:29H指数:3
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相关作者:白云刘新宇田晓丽唐波杨成樾更多>>
相关机构:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
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某航天产品上移位寄存器的失效分析
《电子产品可靠性与环境试验》2024年第3期25-29,共5页佘阳 龙俊 杨少华 陆家乐 李劲 
通过加速贮存试验对某航天产品进行延寿,试验期间移位寄存器发生故障。为了确认移位寄存器失效的具体原因,利用光学显微镜观察、电特性测试、 X射线(X-ray)检查和扫描电镜分析方法对移位寄存器进行了分析,最终得出结论,认为该移位寄存...
关键词:加速贮存试验 移位寄存器 层间介质 机械损伤 失效分析 
复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响被引量:1
《半导体技术》2024年第4期323-329,共7页陈志博 王辰伟 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 
国家自然科学基金(62074049)。
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(...
关键词:复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率 
酸性层间介质CMP抛光液胶体稳定性的研究
《电子元件与材料》2023年第12期1476-1482,共7页陈志博 王辰伟 王雪洁 王海英 盛媛慧 
国家自然科学基金(62074049)。
针对酸性硅溶胶(SiO_(2))抛光液稳定性较差的问题,研究在磨料质量分数为16%,抛光液pH值为3的条件下,添加不同浓度阴离子表面活性剂烷基多苷磺基琥珀酸单酯盐(APG)、非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚-9(AEO-9)、高聚物聚丙烯酸(PAA)、...
关键词:层间介质 化学机械抛光 分散剂 去除速率 
新产品新技术(173)
《印制电路信息》2021年第11期67-67,共1页龚永林 
超高密度互连(UHDI)新概念IPC标准工作组针对PCB产品复杂性,提出了超高密度互连(UHDI)新概念。UHDI板的导线宽和间距小于50 mm、层间介质厚度小于50 mm、微导通孔直径小于75 mm,产品性能超过现有HDI板的C级。超HDI结构是趋同类载板(SLP)...
关键词:高密度互连 HDI板 IPC标准 线宽 微导通孔 层间介质 
不同介质对碳纤维拉挤板材层间剪切性能的影响被引量:4
《天津科技》2021年第7期90-92,共3页杨忠 江一杭 刘鲜红 张春爱 王朋飞 
在拉挤碳板之间分别选用玻璃纤维两向布、方格布、连续毡以及不加任何介质,并采用VARTM工艺制备成碳纤维复合材料。然后,利用3种方法对碳板与碳板间剪切性能进行测试。结果表明,采用不同介质对拉挤板材层间剪切性能存在较大的影响,其中...
关键词:碳纤维拉挤板材 层间介质 复合材料 剪切性能 
CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响被引量:1
《半导体光电》2017年第3期345-348,共4页钟四成 廖乃镘 罗春林 阙蔺兰 寇琳来 伍明娟 
CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响。研究结果表明:栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响。栅介质氮化硅淀积后进...
关键词:栅介质 多晶硅 电荷耦合器件 
层间介质(ILD)CMP工艺分析被引量:3
《电子工业专用设备》2016年第6期40-44,共5页詹阳 周国安 王东辉 杨元元 胡兴臣 
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技...
关键词:层间介质 平整度 抛光垫 修整器 
晶圆测试工艺过程中引起的ILD(层间介质)破损被引量:1
《卷宗》2014年第7期387-387,共1页尹丽莉 
晶圆测试是对半导体晶圆上的每个芯片进行检测,在检测机上安装探针卡,使每个细如毛发的探针与芯片上的焊垫直接接触,进行测试,不合格的芯片会被记录,并在出货前打上墨点,这些不合格品将不再进行下一制程,从而避免封装成本的浪费...
关键词:晶圆测试 中间绝缘层的破坏 潜在失效模式 芯片可靠性 
基于Low K介质QFN 55nm铜线键合ILD断层的分析被引量:1
《光电技术应用》2013年第2期44-50,共7页张金辉 程秀兰 
主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺。在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从...
关键词:低介电常数 层间介质 铜线键合 实验设计 
虚拟通孔对互连温度变化的影响被引量:1
《科学通报》2011年第8期617-622,共6页王增 董刚 杨银堂 李建伟 
国家自然科学基金(60606006);国家杰出青年科学基金(60725415)资助项目
互连温升越高,引起的互连温度效应越明显.通孔具有相对较高的热导率,可以成为有效的热传导途径,极大地降低互连平均温升.针对通孔这一特性引入虚拟通孔,建立考虑多虚拟通孔效应的互连平均温升模型.所提模型将多通孔效应整合到层间介质...
关键词:互连建模 互连平均温升 多通孔效应 虚拟通孔 层间介质 
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