虚拟通孔对互连温度变化的影响  

作　　者：王增[1] 董刚[1] 杨银堂[1] 李建伟[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《科学通报》2011年第8期617-622,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(60606006);国家杰出青年科学基金(60725415)资助项目

摘　　要：互连温升越高,引起的互连温度效应越明显.通孔具有相对较高的热导率,可以成为有效的热传导途径,极大地降低互连平均温升.针对通孔这一特性引入虚拟通孔,建立考虑多虚拟通孔效应的互连平均温升模型.所提模型将多通孔效应整合到层间介质的有效热导率中得到更为精确的结果.此外根据不同的层间介质材料对多通孔效应进行分析讨论,并对多通孔效应进行扩展应用,得出使互连平均温升最小时的通孔间距与通孔数量.所提模型应用到集成电路设计中可以提高电路设计的精确度,优化电路性能.

关 键 词：互连建模 互连平均温升 多通孔效应 虚拟通孔 层间介质 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]