周国安

作品数：24被引量：51H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
发文主题：CMP化学机械平坦化化学机械抛光抛光液抛光垫更多>>
发文领域：电子电信建筑科学更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《微细加工技术》《半导体技术》《电子工业专用设备》更多>>
所获基金：电子信息产业发展基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
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层间介质(ILD)CMP工艺分析被引量：3
《电子工业专用设备》2016年第6期40-44,共5页詹阳 周国安 王东辉 杨元元 胡兴臣 
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技...
关键词：层间介质 平整度 抛光垫 修整器 
CMP设备中几种下压力施加结构简介
《电子工业专用设备》2016年第6期45-48,共4页周国安 詹阳 李伟 胡兴臣 陈威 
分析了旋转臂式结构的下压力特点,指出其采用最直接的杠杆原理,是第一代CMP机型IPEC372M的典型结构,适用于0.8μm的技术节点,并指出其局限性;后分析了桥式下压力结构,加了垂直于抛光台的主轴套及铰链结构,这种改善性的杠杆原理保证气缸...
关键词：化学机械平坦化 下压力 旋转臂 桥 转塔 旋转木马 薄膜 
CMP承载器背压发展历程被引量：3
《电子工业专用设备》2015年第3期22-25,共4页李伟 周国安 徐存良 詹阳 
随着集成电路(IC)技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术(CMP)是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是C MP设备的关键部件,通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表...
关键词：化学机械平坦化 背压 多区域控制 承载器 保持环 
450 mm晶圆CMP设备技术现状与展望被引量：2
《电子工业专用设备》2014年第3期33-36,60,共5页柳滨 周国安 
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术,并初步分析以上这些技术...
关键词：化学机械平坦化 集成技术 多区域压力控制 终点检测 抛光垫修整 后清洗 
CMP透明膜厚测量设备发展历程
《电子工业专用设备》2014年第2期1-5,共5页周国安 王东辉 李伟 高文泉 詹阳 
论述了反射光谱学及椭圆偏振法的原理，根据这些原理分析了离线测量设备，并列举了具有代表性的设备Nanospec6100和KLA-TENCOR的ASET-F5X，指出离线设备的特点及其局限性；分析了集成测量平台的特点，相比于离线测量，集成测量平台可获...
关键词：化学机械平坦化 光学干涉法 椭圆偏振法 离线检测 集成测量平台 在线传感器测量 
CMP后清洗技术发展历程被引量：5
《电子工业专用设备》2013年第8期9-12,44,共5页周国安 徐存良 
从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全...
关键词：化学机械平坦化 后清洗 RCA湿法清洗 在线清洗 集成清洗 
CMP抛光液供给及分布系统的研究
《电子工业专用设备》2013年第6期9-12,20,共5页周国安 
从整体结构及硬件设计方面介绍了小批量生产及隔膜泵系统,分析隔膜泵的工作原理,循环机理及硬件控制和驱动电路,同时指出在湿度较大的生产厂里面产生的漂移及解决措施;从整体结构分析集中式抛光液供给系统,分析其抛光液混合中心具备的...
关键词：化学机械平坦化 隔膜泵 蠕动泵 无轴承磁悬浮泵 抛光液 
CMP中真空供应系统的设计被引量：1
《电子工业专用设备》2011年第8期9-11,18,共4页周国安 
针对CMP在低生产量及实验室条件下对真空供应系统的特别要求:(1)持续稳定的真空供应;(2)能够及时处理倒流液体;(3)真空电机不易长时间连续工作的要求,从气动性、硬件电路和软件流程图进行全面设计:增加独立的真空槽体和排液槽体,在正常...
关键词：化学机械平坦化 真空系统 电磁阀 继电器 真空槽体 
选择性抛光液的研究被引量：3
《电子工业专用设备》2009年第6期36-39,共4页刘涛 于高洋 周国安 
抛光液是化学机械平坦化的关键耗材,而针对STI和铜线的抛光,通常使用选择性抛光液。采用二氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液,具有自动停止的特点,配合粗抛和精抛,能够十分有效解决目前STI存在的工艺缺点。而针对铜线的抛光,介绍了有机...
关键词：化学机械抛光 浅沟道隔离 抛光液 二氧化铈 有机物 
化学机械抛光过程优化研究被引量：2
《电子工业专用设备》2009年第4期37-39,共3页詹阳 周国安 
根据承载器与抛光台的转速、浆料中微粒尺寸及下压力对抛光工艺的影响进行统计分析,特别是工艺中的抛光去除率、金属碟形缺陷和层间介质的侵蚀作为输出结果的主要参考因素。采用3水平3因数的实验方案,结合信噪比方式对数据进行处理,使...
关键词：化学机械平坦化 去除率 碟形缺陷 侵蚀 下压力 颗粒尺寸 
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