王东辉

作品数:6被引量:14H指数:2
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供职机构:中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
发文主题:CMP化学机械抛光氮化镓半导体材料碳化硅更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《电子工业专用设备》《计算机测量与控制》更多>>
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基于FPGA的CMP电涡流终点检测装置设计被引量:1
《计算机测量与控制》2017年第4期28-30,39,共4页吴旭 王东辉 杨元元 
02重大科技专项(2015ZX02101)
为实现对晶圆表面金属层的化学机械抛光(CMP)过程中的终点检测和对抛光速率进行监控的要求,设计了一种基于电涡流测量原理的测量装置;该装置以FPGA器件作为控制核心,由其控制高速D/A转换器生成正弦交流信号,并驱动测量电桥;由于测量线...
关键词:电涡流 化学机械抛光 锁定放大器 FPGA 
层间介质(ILD)CMP工艺分析被引量:3
《电子工业专用设备》2016年第6期40-44,共5页詹阳 周国安 王东辉 杨元元 胡兴臣 
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技...
关键词:层间介质 平整度 抛光垫 修整器 
第三代半导体材料应用及制造工艺概况被引量:8
《电子工业专用设备》2016年第1期1-9,14,共10页柳滨 杨元元 王东辉 詹阳 
对当前的第三代半导体材料的基本特性及应用领域进行研究,报告了Si C和Ga N材料的应用现状和发展趋势,并对其制造工艺进行了简要阐述。
关键词:半导体材料 碳化硅 氮化镓 制造工艺 
CMP透明膜厚测量设备发展历程
《电子工业专用设备》2014年第2期1-5,共5页周国安 王东辉 李伟 高文泉 詹阳 
论述了反射光谱学及椭圆偏振法的原理,根据这些原理分析了离线测量设备,并列举了具有代表性的设备Nanospec6100和KLA-TENCOR的ASET-F5X,指出离线设备的特点及其局限性;分析了集成测量平台的特点,相比于离线测量,集成测量平台可获...
关键词:化学机械平坦化 光学干涉法 椭圆偏振法 离线检测 集成测量平台 在线传感器测量 
CMP抛光机抛光台温度控制的研究被引量:1
《电子工业专用设备》2011年第10期24-28,共5页王伟 王东辉 李伟 
阐述了CMP抛光机抛光台的温度控制方法。用有限元软件ANSYS模拟了抛光台和循环水的热交换过程,并且分析循环水的流量和温度对热交换效率的影响,得出循环水流量和温度跟热交换效率的关系。根据它们之间的关系,设计了一种CMP抛光机抛光台...
关键词:化学机械抛光 抛光台 温度控制 
300mm硅片化学机械抛光压力控制技术研究被引量:1
《电子工业专用设备》2011年第8期1-4,37,共5页王东辉 郭强生 柳滨 陈威 王伟 
国家重大科技专项(2009ZX02011-005A)
介绍了一种应用于硅片化学机械抛光(CMP)设备的压力控制技术,综合利用在线检测方法和离线检测方法,借助于Matlab数值分析软件分析抛光主轴压力设定值、气缸气压值、传感器示值以及检测仪器测试值之间的关系,并建立了主轴压力闭环控制系...
关键词:化学机械抛光 压力检测 数据处理 闭环控制 
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