浅沟道隔离

作品数：9被引量：18H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：刘波宋志棠张挺徐勤志封松林更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司旺宏电子股份有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《核电子学与探测技术》《集成电路应用》《电子科技文摘》更多>>
相关基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究
《集成电路应用》2024年第4期52-54,共3页倪立华 丁亚钦 李宗旭 
阐述基于量产环境中“高台阶比”的“非标准V型”STI结构,使用传统的HARP和SiCoNi组合工艺研究该结构Void Free的填充方案,并测试HARP预沉积厚度和SiCoNi刻蚀量的工艺窗口,实现量产环境下“高台阶比”的“非标准V型”沟槽Void Free填充。
关键词：集成电路制造 STI填充 HARP SiCoNi VOID 
深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
《核电子学与探测技术》2013年第6期735-738,774,共5页李斌 许跃彬 潘元真 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(Cadence公司资助)
总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要...
关键词：总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化 
STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2010年第4期80-83,89,共5页徐跃 闫锋 
随着CMOS工艺按比例缩小到90nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重。通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90nm非易失存储器的影响。实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI...
关键词：浅沟道隔离 机械应力 非易失存储器 氮化硅衬垫 
选择性抛光液的研究被引量：3
《电子工业专用设备》2009年第6期36-39,共4页刘涛 于高洋 周国安 
抛光液是化学机械平坦化的关键耗材,而针对STI和铜线的抛光,通常使用选择性抛光液。采用二氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液,具有自动停止的特点,配合粗抛和精抛,能够十分有效解决目前STI存在的工艺缺点。而针对铜线的抛光,介绍了有机...
关键词：化学机械抛光 浅沟道隔离 抛光液 二氧化铈 有机物 
Si损伤缺陷分析与解决方案
《半导体技术》2008年第9期791-792,共2页陈武佳 朱晨靓 程秀兰 
在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产品的可靠性。分析了Si损伤缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体...
关键词：半导体制造 浅沟道隔离 湿法刻蚀 硅损伤 
二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用被引量：5
《半导体技术》2007年第8期657-660,共4页许怀 程秀兰 
当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离...
关键词：二氧化铈 研磨液 浅沟道隔离 直接浅沟道隔离 化学机械平坦化 
用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文)
《电子工业专用设备》2004年第6期13-15,共3页Toranosuke Ashizawa 
现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为...
关键词：浅沟道隔离 金属CHP 低κ介质 CHP浆料 平坦化工艺 
化学机械抛光技术现状与发展趋势被引量：10
《电子工业专用设备》2004年第6期1-6,共6页童志义 
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。
关键词：CMP 浅沟道隔离 铜/低κ材料 清洗 终点检测 发展趋势 
互连、布线、隔离与装架工艺
《电子科技文摘》1999年第5期38-39,共2页
Y98-61303-343 9905958Si 超大规模集成电路的光互联技术=Optical intercon-nect technologies for Si ULSI[会,英]/Miller,D.A.B.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—343～347(AG)
关键词：超大规模集成电路 装架工艺 互联技术 集成电路布线 互连工艺 浅沟道隔离 铁电存储器 制备工艺 电极 倒角 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部