互连工艺

作品数：38被引量：26H指数：2
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相关作者：张昱曾翔君张卫丁士进田艳红更多>>
相关机构：复旦大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院哈尔滨工业大学更多>>
相关期刊：《质谱学报》《电气传动》《微电子学》《集成电路应用》更多>>
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铝互连工艺中光刻胶残留原因及解决方法
《电镀与精饰》2024年第10期96-102,共7页李兆营 陈国雪 
铝互连工艺结束后检查晶圆表面发现大片残留缺陷,通过成分分析确认其为光刻胶。对镀膜、光刻、腐蚀、去胶工序进行工艺排查后发现改变镀膜工艺可以改善光刻胶残留情况。实验结果证明铝薄膜表面形貌与光刻胶残留现象密切相关。减小薄膜...
关键词：光刻胶残留 铝互连 表面粗糙度 磁控溅射 
基于垂直互连工艺的频率源技术
《电子工艺技术》2024年第3期6-9,共4页金广华 
频率源作为现代电子设备的一个重要组成部分,其性能直接影响通信系统的主要性能指标,器件小型化的问题也得到了越来越多的关注。设计研究了一种基于垂直互连工艺的宽带频率源,其对外输出为SMP连接器。在Ku波段,输出相位噪声优于-90dBc/H...
关键词：垂直互连 频率源 超小型推入式连接器 
铜互连新型阻挡层材料的研究进展
《微电子学》2024年第1期17-24,共8页张学峰 邓斌 张庆山 
铜互连阻挡层材料起到防止铜与介质材料发生扩散的重要作用。因此,阻挡层材料需要满足高稳定性、与铜和介质材料良好的粘附性以及较低的电阻。自1990年代以来,氮化钽/钽(TaN/Ta)作为铜的阻挡层和衬垫层得到了广泛的应用。然而,随着晶体...
关键词：铜互连 阻挡层 后端互连工艺 
红外探测器倒装互连工艺中的铟柱高度研究被引量：1
《激光与红外》2023年第2期271-275,共5页刘森 黄婷 赵璨 张磊 
针对制冷型红外焦平面探测器倒装互连工艺中的铟柱高度展开了调研,结果显示目前行业内关于该工艺中的铟柱高度设计的离散性较大,铟柱高度范围为5~24μm,差值达到了19μm。本文构建了包含探测器芯片、铟柱、填充胶、钝化层和UBM的像元级...
关键词：IRFPA 铟柱 倒装互连 高度 
基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺
《中国设备工程》2021年第3期86-87,共2页杜祥 
2019年度苏州市职业大学研究性课程项目,“光催化材料的制备及应用”(SZDYKC-190712);2018年度苏州市职业大学校级教改项目,基于“校企合作、工学结合”的“中科纳米班”人才培养模式的探索(SZDJG-19016)的研究成果。
基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺,是一种使用新型低K值材料作为隔离介质,并采用电化学沉积作为主要金属生长方式的金属厚膜互联技术,这种技术将有效解决丝网印刷工艺中的导电层图形分辨率低、导电层厚度不易控制、不易制备高熔点金属...
关键词：电化学沉积 CMP PI 金属厚膜 
宇航微波组件金带连接可靠性研究
《航天制造技术》2021年第1期54-57,共4页金蓓蓓 许迪 陈桂莲 刘晓阳 马晓萌 
在宇航领域微波组件射频同轴电连接器与微带板间的互连工艺中,金带连接作为一种高可靠柔性互连方式,具有优异的微波性能,能够降低结构热应力和机械应力。在金带连接工艺中,金带与镀金微带线或电连接器芯线之间的焊接强度尤为关键。本文...
关键词：射频连接器 互连工艺 金带连接 电阻焊 
LCP系统集成技术中一种新型的垂直互连工艺被引量：2
《固体电子学研究与进展》2019年第5期386-389,共4页刘维红 康昕 杨春艳 刘鹏程 
国防基础科研项目(JCKY2016203C081)
液晶高分子聚合物(Liquid crystal polymer,LCP)作为一种新型的射频电子基板,广泛应用于射频电路系统集成。为了实现系统的小型化,垂直互连工艺被广泛用于异面信号之间的相互传输系统。但是LCP作为一种新型的集成工艺,在制作过程中难以...
关键词：LCP技术 系统集成 铜互连 
后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究
《集成电路应用》2019年第7期37-39,共3页顾学强 
国家科技重大专题课题(2011ZX02702_004)
对金属钨淀积工艺中温度对形貌和电学性质的影响进行研究,通过比较450℃和425℃金属钨化学汽相淀积工艺的差异,发现425℃下淀积的金属钨薄膜的方块电阻和标准偏差都略高于450℃下生长的金属钨薄膜。425℃工艺条件淀积的金属钨的通孔电...
关键词：后道互连 金属钨 化学汽相淀积工艺 金属铝 高密度等离子 金属空洞 
基于平行微隙焊的薄膜传感器和外引线的互连工艺
《电子工艺技术》2016年第3期125-127,134,共4页王晨曦 田艳红 王春青 
国家自然科学基金项目(项目编号:51505106)
采用平行微隙焊的方法,成功实现了5μm厚的Ni Cr合金薄膜与直径为0.15 mm的Ni引线焊接,可用于薄膜传感器外引线的互连。试验结果表明：采用大电流（100~60 A）,短时间（0.5~2 ms）的规范,能够得到较好的焊接接头。并讨论了电极压力对焊...
关键词：薄膜传感器 平行微隙焊 电极压力 
应用材料公司发布15年来在互连科技中最大的材料变革
《中国集成电路》2014年第6期2-3,共2页
日前，应用材料公司推出AppliedEndura Volta^TM CVD Cobalt系统，这是一款在逻辑芯片铜互连工艺中能够通过化学气相沉积实现钴薄膜的系统。钻薄膜在铜工艺有两种应用，平整衬垫（Liner）与选择性覆盖层（Capping Layer），
关键词：应用材料公司 互连工艺 科技 化学气相沉积 lt系统 Coba 逻辑芯片 铜工艺 
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