基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺  

作　　者：杜祥 

机构地区：[1]苏州市职业大学电子信息工程学院,江苏苏州215104

出　　处：《中国设备工程》2021年第3期86-87,共2页China Plant Engineering

基　　金：2019年度苏州市职业大学研究性课程项目,“光催化材料的制备及应用”(SZDYKC-190712);2018年度苏州市职业大学校级教改项目,基于“校企合作、工学结合”的“中科纳米班”人才培养模式的探索(SZDJG-19016)的研究成果。

摘　　要：基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺,是一种使用新型低K值材料作为隔离介质,并采用电化学沉积作为主要金属生长方式的金属厚膜互联技术,这种技术将有效解决丝网印刷工艺中的导电层图形分辨率低、导电层厚度不易控制、不易制备高熔点金属厚膜导电层等问题,并且利用新型隔离材料将有效减小工艺中产生的寄生电容。

关 键 词：电化学沉积 CMP PI 金属厚膜 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]