化学机械抛光技术现状与发展趋势  

The Present Situation and Tendency of CMP

作　　者：童志义[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团第45研究所,北京东燕郊101601

出　　处：《电子工业专用设备》2004年第6期1-6,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。This paper outlined the demand of Cu interconnect in accordance with ITRS 2002 and the challenge for 90 nm～65 nm CMP process. It also introduced the current situation of W,STI,Cu/low K dielectric film CMP,and its cleaning and end detection technique. Finaly discussed the tendency for CMP techniques.

关 键 词：CMP 浅沟道隔离 铜/低κ材料 清洗 终点检测 发展趋势 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]