二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用  

Application of CeO_2 Slurry on Chemical Mechanical Planarization

作　　者：许怀[1] 程秀兰[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,上海200030

出　　处：《半导体技术》2007年第8期657-660,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中。在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用。Shallow trench isolation （STI） becomes the mainstream of device isolation of 0.25 9m below CMOS technology. Because of the more outstanding performance than that of silica slurry , such as high remove rate, high selectivity and auto-stop properties, ceria slurry is adopted in DSTI CMP process widely. After fundamental introduction of CMP, the characteristics of CeO2 slurry and its applications in DSTI were discussed.

关 键 词：二氧化铈 研磨液 浅沟道隔离 直接浅沟道隔离 化学机械平坦化 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]