潘元真

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供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文主题：对称性MOS晶体管仿真集成电路设计集成电路更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
《核电子学与探测技术》2013年第6期735-738,774,共5页李斌 许跃彬 潘元真 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(Cadence公司资助)
总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要...
关键词：总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化 
基于BSIM4模型的不对称性研究及改进
《华中科技大学学报（自然科学版）》2013年第1期102-105,共4页李斌 潘元真 许跃彬 
国家自然科学基金资助项目(60776020)
以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的...
关键词：集成电路 BSIM4模型 RF集成电路设计 对称性 仿真 
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