王大平

作品数：3被引量：4H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：硅片表面镜检点子等离子体刻蚀SOI更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
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双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期266-269,共4页唐昭焕 王大平 梁涛 李荣强 王斌 任芳 崔伟 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品...
关键词：半导体工艺 刻蚀 铝互连 双层布线 倒梯形通孔 
等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
《微电子学》2012年第2期277-280,共4页王大平 唐昭焕 梁涛 朱煜开 王斌 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件...
关键词：等离子体刻蚀 铝硅铜 金属互连 
SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究被引量：2
《微电子学》2005年第6期594-596,共3页冯建 毛儒焱 吴建 王大平 
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控...
关键词：硅直接键合 SOI 减薄 抛光 顶层硅膜 均匀性 
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