王斌

作品数：11被引量：20H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：VDMOS器件VDMOS半导体工艺抗辐射加固牺牲层更多>>
发文领域：电子电信电气工程环境科学与工程更多>>
发文期刊：《电子元器件与信息技术》《微电子学》更多>>
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P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析
《电子元器件与信息技术》2024年第8期15-17,共3页王斌 李孝权 肖添 
在辐射条件下,P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁,生成活性粒子(如质子、中子等)。这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤,从而影响器件的性能。热效应包含热膨胀、热应力等:辐射损伤包括辐射引起的电学...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 
埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究
《微电子学》2020年第5期755-760,共6页蔡浩 张霞 王斌 谭开洲 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802180503)。
对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两...
关键词：静电感应晶体管 垂直双扩散MOSFET 单粒子烧毁效应 MEDICI 
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究被引量：2
《微电子学》2017年第4期581-585,共5页冯建 吴建 吴雪 谭开洲 王斌 杨永晖 
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的抗辐射加固措施有:在颈区的上方形成局部厚场氧化层结构;在N体区进行高剂量离子注入掺杂;在850℃低温条...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 N体区 栅氧化层 
基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究被引量：3
《微电子学》2014年第1期105-109,共5页陈佳 乔哲 唐昭焕 王斌 谭开洲 
分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMO...
关键词：VDMOS 单粒子效应 锎源 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
一种高压集成电容结构的可靠性研究
《微电子学》2014年第1期115-117,126,共4页王坤 谭开洲 唐昭焕 殷万军 罗俊 黄磊 王斌 
针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得...
关键词：高压集成电路 电容 可靠性 
双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期266-269,共4页唐昭焕 王大平 梁涛 李荣强 王斌 任芳 崔伟 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品...
关键词：半导体工艺 刻蚀 铝互连 双层布线 倒梯形通孔 
等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
《微电子学》2012年第2期277-280,共4页王大平 唐昭焕 梁涛 朱煜开 王斌 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件...
关键词：等离子体刻蚀 铝硅铜 金属互连 
特种器件厚外延前后图形转移方法研究
《微电子学》2011年第6期914-917,共4页唐昭焕 任芳 谭开洲 杨发顺 王斌 刘勇 陈光炳 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛...
关键词：特种器件 厚外延 图形转移 VDMOS 超结 
一种数控跳频滤波器电路的设计被引量：6
《微电子学》2006年第4期473-475,共3页王斌 刘家树 
介绍了一种工作于超短波频段的数控跳频滤波器电路结构的设计。该数控跳频滤波器由数字控制电路和模拟滤波电路组成,输入调谐码通过可编程逻辑器件形成控制码,控制滤波器线性跳频。该滤波器具有跳频点数多、跳频速度快等优点,并在不同...
关键词：滤波器 数控跳频滤波器 可编程逻辑器件 
一种数字控制HID灯电子镇流器的研制被引量：3
《微电子学》2005年第5期538-541,共4页王斌 曾家黔 胡立雪 
介绍了一种单片机数字控制车用前照明高强度气体放电灯(high intensity discharge,HID)电子镇流器。镇流器系统主要由高频DC/DC开关电源、DC/AC逆变器、高压启动电路和单片机控制电路组成。它通过单片机软件编程,实现精确的数字控制,确...
关键词：高强度气体放电灯 电子镇流器 单片机 
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