李荣强

作品数：12被引量：16H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：模拟集成电路互补双极工艺多晶硅发射极BICMOSD/A转换器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《重庆邮电大学学报（自然科学版）》《微电子学》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件被引量：2
《微电子学》2019年第3期346-350,355,共6页杨鑫 谭开洲 黄绍春 李荣强 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(Y081109)
提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响...
关键词：光电集成 高低压 光电探测器 BiCMOS信号处理器 
双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期266-269,共4页唐昭焕 王大平 梁涛 李荣强 王斌 任芳 崔伟 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品...
关键词：半导体工艺 刻蚀 铝互连 双层布线 倒梯形通孔 
基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
《微电子学》2011年第2期285-288,共4页唐昭焕 甘明富 钟怡 谭开洲 刘勇 杨永晖 胡刚毅 徐学良 李荣强 
国家重点基础研究发展计划基金资助项目(Y61398);微电子支撑技术基金资助项目(62501080110)
提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验...
关键词：半导体器件 NPN管 多晶外基区 集电极选择性注入 
一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2007年第6期669-673,共5页李荣强 谢正旺 曾鹏 
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。
关键词：双层多晶硅 自对准 PNP 互补双极 
一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器
《微电子学》2007年第2期274-278,共5页谢正旺 李荣强 刘勇 胡永贵 许云 
采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可...
关键词：互补双极CMOS 低压差线性调整器 模拟集成电路 
一种高精度低压差电压调整器被引量：4
《微电子学》2006年第6期770-773,共4页许云 廖良 李荣强 
介绍了一种高精度低压差电压调整器（LDO）的电路设计。该电路采用2μm CBIP工艺技术制作，具有输出精度高（±0．8%）、输入输出压差低（0．20V，100mA）、温度系数低（-55～125℃，变化10mV）、输出仅接一个0．47μF瓷介电容，即可实...
关键词：模拟集成电路 低压差电压调节器 低温度系数 瓷介电容 
一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器
《微电子学》2006年第5期569-571,594,共4页张静 李荣强 刘伦才 李开成 刘道广 徐婉静 杨永晖 蒲林 谭开洲 
采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。
关键词：分子束外延 差分外延 锗硅异质结双极晶体管 低噪声放大器 
一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究
《微电子学》2006年第5期572-575,共4页蒲林 刘伦才 李荣强 刘道广 张静 谭开洲 
对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF...
关键词：锗硅低噪声放大器 S参数 测试基座 
一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT
《微电子学》2006年第5期576-579,583,共5页赵安邦 谭开洲 吴国增 李荣强 张静 钟怡 刘道广 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 平面集成 多晶硅发射极 
高速12位D/A转换器
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期365-369,共5页李荣强 刘道广 严刚 何开全 刘玉奎 谭开州 张静 杨秋冬 钟怡 舒曼 徐婉静 徐世六 
国防预先研究资助项目
介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
关键词：D/A转换器 线性误差 数据更新率 
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