一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器  

A Low Dropout Linear Regulator Based on 2-μm Complementary BiCMOS Technology

作　　者：谢正旺[1,2] 李荣强[1,2] 刘勇[3,4] 胡永贵[3,4] 许云[3,4] 

机构地区：[1]重庆邮电大学 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [3]模拟集成电路国家重点实验室 [4]中国电子科技集团公司第二十四研究所

出　　处：《微电子学》2007年第2期274-278,共5页Microelectronics

摘　　要：采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。A high-precision dual low-dropout linear regulator （LDO） is developed based on advanced 2/2m complementary bipolar CMOS technology. The circuit has the functions of enabling control, error output, thermal overload protection and short circuit protection, and only a 0. 47 μF ceramic capacitor is required for stable operation, which simplifies the peripheral design of the system, reduces the cost of application and improves the reliability of the system.

关 键 词：互补双极CMOS 低压差线性调整器 模拟集成电路 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]