多晶硅发射极

作品数：49被引量：23H指数：2
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一种高增益纵向PNP晶体管器件设计
《微电子学》2024年第4期547-550,共4页欧宏旗 龙翠平 朱梦蝶 陆泽灼 张羽翔 安宁 梁康弟 龚榜华 裴颖 税国华 刘建 张扬波 刘青 
兼顾纵向PNP晶体管高电流增益和高击穿特性,设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)全介质隔离的P外延互补双极工艺,通过优化纵向PNP晶体管的基区掺杂浓度和有效基区宽度,获得一种高电流增益的纵向PNP晶体管,器件增益β≥500,耐压大于等于30 V。
关键词：P外延 高电流增益 多晶硅发射极 纵向PNP 
多晶硅发射极精确制造工艺研究
《集成电路应用》2023年第1期40-43,共4页杨小兵 孙金池 盖兆宇 
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件...
关键词：多晶硅刻蚀 侧向钻蚀 多晶硅发射极刻蚀选择比 过刻蚀 
多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究被引量：3
《电子与封装》2021年第4期50-53,共4页孙建洁 张可可 许帅 张明 
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间...
关键词：多晶硅发射极晶体管 放大系数 界面氧化层 退火 
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究被引量：1
《微电子学》2020年第4期589-592,共4页阚玲 刘建 
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界...
关键词：多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层 
基于Matlab的基极电流理想因子提取方法研究
《微电子学》2020年第2期267-271,共5页冯筱佳 邱盛 张静 崔伟 张培健 
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法。利用该方法分析了多晶硅发射极双极器件在正向大电流激励下的电参数退化过程中不同理想因子基极电流的变化...
关键词：多晶硅发射极 MATLAB 基极电流 理想因子 
双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究
《微电子学》2019年第2期164-167,共4页邱盛 王文捷 王健安 张培健 
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析...
关键词：多晶硅发射极 发射极电阻 总剂量辐照 电流增益退化 
多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究被引量：3
《微电子学》2018年第4期520-523,528,共5页陈光炳 张培健 谭开洲 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503)
为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐...
关键词：多晶硅发射极 NPN管 辐照偏置 60Coγ射线 辐射损伤 
多晶硅发射极微波功率管的三维热电耦合模型
《电子与封装》2011年第7期18-23,共6页黄伟 胡南中 李海鸥 
文章结合双层多晶硅发射极双极型微波功率管器件结构,采用步内建模法,首次建立了三维热电耦合模型,并进行了直流稳态模拟。模拟结果表明,新的三维热电耦合模型可准确预测功率管结温的均匀状况。与单子胞器件C1相比,多子胞器件C2的中心...
关键词：功率晶体管 数值模拟 三维热电耦合模型 温度分布 
HPT型Ge量子点红外探测器
《红外与激光工程》2011年第5期791-794,共4页魏榕山 何明华 
福建省自然科学基金(2009J05143);福建省教育厅科研资助项目(JA09007);福州大学科技发展基金(2009-XQ-31)
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)方法在HBT晶体管的基区和集电区间加入多层Ge量子点材料作为光吸收区。TEM和DCXRD测试结...
关键词：异质结光敏晶体管 GE量子点 多晶硅发射极 超高真空化学气相淀积 
一种高电流增益的SiGe HBT的研制
《中国集成电路》2008年第6期55-60,共6页赵安邦 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量,在室温下电流增益β大于1500,最大达到2800,其Vceo为5V,厄利(Early)电压VA大于10V,βVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 平面集成 多晶硅发射极 
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