多晶硅发射极晶体管

作品数：15被引量：12H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张利春王阳元郭维廉蒋翔六邹赫麟更多>>
相关机构：北京大学微电子有限公司天津大学北大方正集团有限公司更多>>
相关期刊：《微电子技术》《微电子学》《测试技术学报》《大连理工大学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究被引量：3
《电子与封装》2021年第4期50-53,共4页孙建洁 张可可 许帅 张明 
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间...
关键词：多晶硅发射极晶体管 放大系数 界面氧化层 退火 
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究被引量：1
《微电子学》2020年第4期589-592,共4页阚玲 刘建 
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界...
关键词：多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层 
一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
《测试技术学报》2002年第z1期731-735,共5页字宝俊 莫邦燹 倪学文 张利春 张广勤 
介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延...
关键词：多晶硅发射极晶体管 ECL移位寄存器 高速测量系统 
多晶硅发射极晶体管直流特性研究被引量：2
《半导体技术》1999年第1期28-31,共4页刘英坤 张大立 周名辉 张振宇 周晓黎 李锦标 
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。
关键词：多晶硅发射极 砷注入 电流增益 掺杂 晶体管 
多晶硅发射极晶体管界面氧化层生成的研究被引量：2
《微电子技术》1998年第1期36-39,共4页范建超 
求文在消化、吸收入NSA工艺的基础上，根据现有设备重．点研究CD8690CP、CD8759CP等R极模拟VLSI制造过程中多晶硅发射极晶体管界面氧化层的生长条件，借以提高VLSI性能和成品率。
关键词：VLSI 多晶硅发射极 氧化层 晶体管界面 
超高频多晶硅发射极晶体管的研究被引量：1
《电子器件》1996年第4期239-251,共13页黄英 张安康 
本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地...
关键词：多晶硅发射极 双极晶体管 
超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量
《电子学报》1996年第5期87-91,共5页赵宝瑛 何美华 罗葵 张利春 
本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证，结果表明，用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。这里提出了一套测量晶体管串联电阻的新方法。新方法克服了常规方法的困难，满足了测量多晶...
关键词：多晶硅发射极 VLSI 晶体管 串联电阻 测量 
多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究被引量：1
《电子科学学刊》1994年第5期545-549,共5页黄流兴 魏同立 郑茳 
国家自然科学基金
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂...
关键词：双极晶体管 多晶硅发射极 低温频率 
多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟
《大连理工大学学报》1993年第4期482-488,共7页周长胜 邹赫麟 李建军 魏希文 
国家"八五"重点科技攻关预研课题
通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分...
关键词：多晶硅 界面层 发射极晶体管 
多晶硅发射极晶体管h_(FE)、G_e、和K的普遍表达式及其分类被引量：2
《电子学报》1993年第2期14-21,共8页蒋翔六 郭维廉 张咏梅 
本文综合考虑了影响多晶硅发射极晶体管(PET)电流增益的多种因素,针对最全面的器件结构推导出PET的共发射极直流电流增益h_FE发射极Gummel数G_e,和电流增益的增强因子k解析形式的普遍表达式,覆盖了PET的多种结构。并以此对PET从器件结...
关键词：多晶硅 发射极晶体管 双极晶体管 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部