发射极晶体管

作品数：27被引量：17H指数：2
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低功耗热发射极晶体管
《物理》2024年第12期836-838,共3页刘驰 王鑫哲 孙东明 
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。沿着摩尔定律[1]发展,现代集成电路的集成度不断提升,目前单个芯片上已经可以集成数百亿个晶体管[2]。然而,晶体管的功耗问题成为了限制集成电路进一步发展的主要瓶颈[3...
关键词：亚阈值摆幅 场效应管 集成电路 玻尔兹曼分布 摩尔定律 栅极电压 电流变化 现代信息技术 
我科学家发明新型“热发射极”晶体管
《电子质量》2024年第8期121-121,共1页
据报道,中国科学院金属研究所研究员刘驰、孙东明和中国科学院院士成会明主导的研究团队合作,发明出一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果已于2024年...
关键词：热载流子 中国科学院院士 集成电路 受激发射 晶体管 学术期刊 团队合作 发射极 
多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究被引量：3
《电子与封装》2021年第4期50-53,共4页孙建洁 张可可 许帅 张明 
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间...
关键词：多晶硅发射极晶体管 放大系数 界面氧化层 退火 
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究被引量：1
《微电子学》2020年第4期589-592,共4页阚玲 刘建 
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界...
关键词：多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层 
STE50D100：混合发射极晶体管
《世界电子元器件》2005年第2期90-90,共1页
意法半导体日前推出一款混合发射极开关双极晶体管(ESBT)STE50DE100，用于焊接设备、感应加热系统和音频放大器的功率因数校正。STE50D100的集电极-源极能经受1000V的高压，集电极电流50A，采用工业专用螺钉组装的TSOTOP封装。
关键词：发射极 集电极 双极晶体管 音频放大器 封装 热系统 功率因数校正 开关 电流 意法半导体 
一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
《测试技术学报》2002年第z1期731-735,共5页字宝俊 莫邦燹 倪学文 张利春 张广勤 
介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延...
关键词：多晶硅发射极晶体管 ECL移位寄存器 高速测量系统 
超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第3期345-349,共5页张利春 高玉芝 金海岩 倪学文 莫邦燹 宁宝俊 罗葵 叶红飞 赵宝瑛 张广勤 
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效...
关键词：双层多晶硅 复合介质L型侧墙 发射极晶体管 集成电路 
多晶硅发射极晶体管直流特性研究被引量：2
《半导体技术》1999年第1期28-31,共4页刘英坤 张大立 周名辉 张振宇 周晓黎 李锦标 
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。
关键词：多晶硅发射极 砷注入 电流增益 掺杂 晶体管 
多晶硅发射极晶体管界面氧化层生成的研究被引量：2
《微电子技术》1998年第1期36-39,共4页范建超 
求文在消化、吸收入NSA工艺的基础上，根据现有设备重．点研究CD8690CP、CD8759CP等R极模拟VLSI制造过程中多晶硅发射极晶体管界面氧化层的生长条件，借以提高VLSI性能和成品率。
关键词：VLSI 多晶硅发射极 氧化层 晶体管界面 
超高频多晶硅发射极晶体管的研究被引量：1
《电子器件》1996年第4期239-251,共13页黄英 张安康 
本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地...
关键词：多晶硅发射极 双极晶体管 
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