高玉芝

作品数：31被引量：48H指数：4
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：肖特基势垒溅射快速热退火砷化镓集成电路更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》《北京大学学报（自然科学版）》更多>>
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Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究被引量：7
《固体电子学研究与进展》2005年第3期422-426,共5页黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 卢建政 张慧 
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100～150°C.依据...
关键词：镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 卢瑟福背面散射分析 
Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1197-1202,共6页黄伟 卢建政 张利春 高玉芝 金海岩 
提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变...
关键词：Ni(Zr)Si 热稳定性 X射线衍射 RAMAN光谱 肖特基二极管 
深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2005年第2期167-171,230,共6页张慧 张利春 高玉芝 金海岩 
采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600～850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,...
关键词：肖特基二极管 镍硅 镍(铂)硅 深槽 
掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善被引量：4
《物理学报》2005年第5期2252-2255,共4页黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性 .结果表明 ,经 6 5 0— 80 0℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低 ,约为 2 .4 (Ω/□ ) .XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相 ,而没有NiSi2 生成 .由吉布斯自由能理论分析...
关键词：镍硅化物 快速热退火 硅化镍薄膜 热稳定性 卢瑟福背散射 
选择离子注入集电极技术研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第1期130-133,共4页金海岩 张利春 高玉芝 
为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成...
关键词：基区扩展效应 选择离子注入集电区 双层多晶硅发射极晶体管 电流增益 
金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究被引量：2
《微电子学》2003年第2期109-112,共4页陈金凌 高玉芝 张利春 
　用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保...
关键词：肖特基接触 NISI 肖特基二板管 肖特基势垒 非均匀性 金属保护层 钛 钴 溅射-退火反应 镍硅化合物 
性能优良的RCA微波功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第2期178-182,共5页蔡勇 张利春 高玉芝 金海岩 叶红飞 张树丹 
首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱...
关键词：RCA 微波功率晶体管 多晶硅发射区 氯化层 电流增益 双极功率晶体管 直流增益 
微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计被引量：5
《Journal of Semiconductors》2003年第2期209-215,共7页蔡勇 张利春 高玉芝 叶红飞1北京大学微电子学研究所 金海岩 张树丹 
利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟 ,并且提出了功率密度非均匀的设计方法 .模拟和实验的结果说明 ,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的均匀性和结温的均匀性 ,从而...
关键词：双极晶体管 二维数值模拟 功率晶体管 功率密度 非均匀设计 温度分布 
77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1207-1211,共5页叶红飞 高玉芝 金海岩 罗葵 宁宝俊 莫邦燹 张广勤 张利春 
研究了掺磷双层多晶硅 RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性 .在工艺中采用自对准双极结构 ,生长一层 RCA超薄氧化层 ,并用快速热退火处理 RCA氧化层 .研制的多晶硅发射区 RCA晶体管不仅具有较低的电流增益 -温度依赖关系 ,而且还具有...
关键词：RCA晶体管 ECL集成电路 双层多晶硅 发射区 
超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第3期345-349,共5页张利春 高玉芝 金海岩 倪学文 莫邦燹 宁宝俊 罗葵 叶红飞 赵宝瑛 张广勤 
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效...
关键词：双层多晶硅 复合介质L型侧墙 发射极晶体管 集成电路 
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