微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计  

2-D Thermal Numeric Simulation of Microwave Power Bipolar Transistor and Nonuniform Power Density Design

作　　者：蔡勇[1] 张利春[1] 高玉芝[1] 叶红飞1北京大学微电子学研究所 金海岩[1] 张树丹[2] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871 [2]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第2期209-215,共7页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟 ,并且提出了功率密度非均匀的设计方法 .模拟和实验的结果说明 ,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的均匀性和结温的均匀性 ,从而整体提高器件的可靠性 .By the thermal electronic coupled model,2 D temperature distribution of microwave power bipolar transistor which is steady state biased is numerically simulated.Nonuniform power density design technique is presented.The results of simulations and experiments show that power density nonuniformly designed transistor has better thermal and current uniformity than that of normal transistor.Hence nonuniform power density design technique can improve the reliability of microwave power bipolar transistor.

关 键 词：双极晶体管 二维数值模拟 功率晶体管 功率密度 非均匀设计 温度分布 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]